北京
国家知识产权局信息显示，无锡吴越半导体有限公司申请一项名为“一种针对HVPE反应产生的氯化铵粉尘的双级震荡过滤器”的专利，公开号CN122665428A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及氢化物外延生长GaN薄膜设备技术领域，具体为一种针对HVPE反应产生的氯化铵粉尘的双级震荡过滤器，包括安装筒，所述安装筒的内腔中部设置有粗滤装置，所述粗滤装置的上端设置有固定安装于安装筒内腔上部的细滤装置，所述气动振荡装置的下部设置有固定安装于安装筒内腔表面上的收集装置，本发明的有益效果是采用粗滤装置与细滤装置协同的双级过滤结构，粗滤芯组通过外侧粗滤网、内侧粗滤网，并配合盛放筒，大幅增大有效过滤面积，可高效截留大颗粒氯化铵粉尘及含镓杂质颗粒，细滤芯组实现对亚微米级细粉的深度过滤，两级过滤协同作用，可实现对氯化铵粉尘的高效截留，避免粉尘对环境及后续设备造成污染与磨损。
天眼查资料显示，无锡吴越半导体有限公司，成立于2019年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本667.0712万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡吴越半导体有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息69条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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