上海
8月27日，日本半导体巨头铠侠控股（Kioxia Holdings）宣布，计划到2032年开展5万亿日元（约合人民币2108亿元）的NAND闪存扩产投资，旨在应对人工智能（AI）驱动下全球存储市场需求的持续增长。
上世纪80年代，日本半导体销售额曾占全球市场近半份额，后续市场份额逐年下滑。近年来，日本政府已将半导体产业定位为国家战略支柱产业，并通过财政补贴等方式支持国内外企业在境内投资扩产。
铠侠公布扩产计划
根据铠侠公布的投资明细，约1.8万亿日元将用于岩手县北上市工厂的K3制造大楼（Fab3晶圆厂）的场地准备及相关建设工作，力争2029年度内投产；三重县四日市工厂亦将同步扩容。
铠侠表示，此项投资以日本政府提供政策支援为前提条件。为此，铠侠社长太田裕雄当日拜访了日本首相高市早苗并告知上述投资计划，高市回应称，这一计划“令人感到十分振奋，政府非常欢迎”。
此次投资由凯侠与运营四日市工厂的美国闪迪公司（SanDisk）共同出资。两家公司的渊源可追溯至铠侠前身——日本东芝存储业务与闪迪的合作。2000年，双方成立合资公司，推动NAND闪存研发与生产的全方位协作。过去25年间，铠侠与闪迪已在日本累计投资超过500亿美元（约合人民币3360亿元）。
2026年1月，双方进一步将四日市工厂的合资协议延长至2034年12月（原定2029年底到期）。作为续约的一部分，闪迪向铠侠支付11.65亿美元，用于制造服务及产能供给保障，为长期合作与产能扩充进一步夯实基础。
除了产能与资本层面的深度绑定，双方在3D闪存技术研发上的协同亦持续推进。
2025年2月，铠侠与闪迪联合发布下一代3D闪存技术，实现4.8Gb/s的NAND接口速度。同年9月，位于岩手县北上工厂的Fab2（K2）晶圆厂正式投产，具备生产第八代218层3D闪存的能力。
此次宣布的K3新厂将生产最先进的BiCS FLASH 3D闪存，主要面向推理AI及终端AI等应用场景。2026年7月，双方发布第十代332层BiCS10 3D闪存，储存密度较上代提升59%。
目前，铠侠与闪迪在NAND型闪存领域合计占全球约30%的市场份额。铠侠已于2024年12月在东京证券交易所PRIME市场上市，当前市值已位居日本上市公司前列。
半导体产业振兴有望？
值得注意的是，技术布局与产能扩张的背后，是人工智能浪潮驱动下全球存储市场需求的持续增长，以及日趋激烈的产业竞争格局。
上世纪80年代，日本半导体销售额曾占全球市场近半份额，但在《日美半导体协定》限制及韩国企业崛起的竞争压力下，市场份额逐年下滑。据世界半导体贸易统计组织数据，2023年日本在全球半导体市场的份额已降至不足10%。
另据市场研究机构集邦咨询（TrendForce）数据，2025年第四季度铠侠以33.1亿美元营收排名全球第三，营收和出货量均创单季新高。而同期，三星电子以66亿美元营收占据约28%的市场份额，远超其他竞争对手。
若铠侠此次投资按计划推进，将成为日本半导体产业近十年来规模最大的单笔扩产项目。太田裕雄在宣布投资计划时也强调，公司将通过产能扩张和技术创新，应对人工智能时代存储器需求的持续增长。
闪迪公司董事长兼首席执行官大卫·戈克勒也表示，新厂建设将为岩手县和三重县创造新的经济机遇。
此次投资公布之际，日本政府已将半导体产业定位为国家战略支柱产业，并在政策层面持续推动本土产能扩张。
日本政府为此提出了明确的量化目标：到2030年将国产半导体销售额提升至15万亿日元，2040年进一步拉升至40万亿日元，较2025年约8万亿日元的水平增长5倍；到2040财年将官方与民间在17个战略领域的累计投资额提升至370万亿日元，其中半导体与AI两大领域分配101.6万亿日元。
日本政府近年来持续向境内设厂的芯片制造商提供财政支持，包括台积电熊本工厂、美光科技广岛工厂等。在先进制程领域，日本政府通过国有芯片企业Rapidus推进2纳米半导体量产，2022至2026年度的研发支援总额已达2.354万亿日元。
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