从年亏200亿到每天平均赚近4亿元，长江存储也要上市了

长鑫存储之后，长江存储也要上市了。8 月 19 日，中国证监会网站上披露了长江存储控股股份有限公司 （ 以下简称长江存储 ） 的招股说明书，近日，其 IPO 审核状态变更为 “ 已受理 ”，距离登陆资本市场更近了。

被誉为 ” 国产存储双雄 ” 的它们，有相似的地方，也有不同的地方。

相似之处在于，长鑫存储、长江存储、包括三星、SK 海力士、美光在内的存储厂商都采用 IDM 模式，有自己的晶圆厂，从研发设计、晶圆制造都在公司内部完成。

这是因为存储芯片的本质就是把一个基本存储单元复制几百亿次的阵列结构，类似标准品，所以芯片的性能与成本取决于工厂的工艺制造能力，于是就形成了自有晶圆厂的商业模式。

而 CPU 与 GPU 属于逻辑芯片，各家公司产品性能的不同主要是因为 “ 芯片设计和架构 ” 不同，核心在于芯片设计环节，因此形成了 Fabless + 外部代工的模式。一个先进晶圆厂服务 100 个芯片设计公司，比每个芯片设计公司都自建晶圆厂在商业上要划算得多。

而长鑫存储和长江存储的不同之处在于，前者生产 DRAM （ 易失性存储，一旦关机或断电，所有数据瞬间清空 ），后者生产 NAND （ 用于存储音视频文件、操作系统，断电后数据也不会丢失 ）。两者分别对应常说的手机 8+256 内存中的 8G 和 256G。

从财务数据上看，长鑫存储和长江存储都赶上了存储行业涨价的好时候。

2026 年一季度，长江存储的营收达到 470.42 亿元，归母净利润 333.79 亿元，甚至超过同期长鑫科技 247.6 亿元的归母净利润。

和自身相比，长江存储单季利润是 2025 年全年利润 142 亿元的 2 倍以上，是 2024 年利润 68 亿元的近五倍。

而在 2023 年，全球存储市场陷入严寒，价格暴跌，长江存储当年亏损 192 亿元。

从毛利率看，因为重资产的商业模式天生就有高折旧压力，2023 年公司毛利率仅 5.45%。另一方面，为了提高技术水平，研发支出不能省，当年长江存储的研发投入占收入的比例为 23%，再减去销售和管理费用，亏损是很自然的事情。当年三星半导体部门、SK 海力士、美光也都发生了亏损。

目前全球存储价格仍在进一步上行，参考同行的业绩表现，等到长江存储正式上市时，它的单季度利润毫无疑问还会创出历史新高。

但是，存储芯片历来就是一个周期性行业：产品供不应求导致涨价→厂商利润提高然后扩产→扩产后供过于求，产品价格下降，厂商利润下滑甚至亏损，于是纷纷减产→整个行业等待下一轮景气周期。

长江存储的招股书披露，仅过去 10 年，存储行业就出现了三轮周期：2016-2019 年，2020-2023 年，2024 年至今。

本轮周期中，扩产正在进行：

韩国政府于今年 6 月底宣布了规模达 1350 万亿韩元 （ 约合 8800 亿美元 ） 的国家级半导体与 AI 产业投资计划，其中三星和 SK 海力士将斥资 5200 亿美元在韩国新建四座存储芯片晶圆厂，五年内将韩国存储芯片产能翻倍；

美光宣布，在 2035 年前将在美国新建工厂的投资总额增至逾 2500 亿美元；

而长鑫存储和长江存储的上市募资，也是为了扩产。

这是存储厂商们的囚徒困境：假如几大巨头都不扩产，那么大家都能稳赚高额利润；假如部分公司扩产、部分公司不扩产，那么扩产的公司将获得更高的市场份额、更高的利润。于是，几大巨头站在自身利益角度出发，最佳选择是扩产。但大家都扩产的结果，就是行业超额利润无法维持，甚至出现亏损。

所以，长江存储的分析重点不是它在行业景气时能赚多少钱，而是在一轮轮周期波动中能否保住市场份额和行业地位。

长江存储的招股书引用 TrendForce 数据，2026 年 1-3 月，公司在全球 NAND Flash 厂商中按销售金额和出货量排名，均位列中国第一、全球第三，仅次于三星和 SK 海力士。

对照另一家咨询机构 Counterpoint 发布的 2026 年第一季度 NAND 闪存跟踪报告，三星以 29% 的市场份额 （ 出货量 ），继续保持其市场第一的地位，2025 年同期份额为 31%，上一季度为 27%。

SK 海力士 （ 包括 Solidigm，2021 年底，SK 海力士收购了英特尔的 NAND 闪存与固态硬盘业务，以此为基础在美国成立了独立运营的 Solidigm 公司 ） 继续排名第二，市场份额为 18%，环比上一季度降低了 4 个百分点。

第三名的竞争比较胶着，铠侠 （ Kioxia ）、美光 （ Micron ）、闪迪 （ SanDisk ） 和长江存储 （ YMTC ） 市场份额接近，铠侠为 14%，另外几家均为 13%。其中长江存储的市场份额从去年同期的 8% 提升至本季度的 13%。

技术方面，长江存储的招股书披露，截至 2026 年 3 月末，行业内 300 层以上 3D NAND 产品已量产出货，这里大概率指的是海力士。长江存储则是还没有官宣量产 300 层以上NAND，但作为全球首批突破 200 层 NAND 存储芯片的企业，应该也不会落后太多。

说到这里，要稍微解释下 300 层和 200 层 3D NAND 产品是什么意思：

存储芯片的本质就是把一个基本存储单元复制几百亿次的阵列结构。这就像在一个地块 （ 晶圆 ） 上给更多人造住房 （ 基本存储单元 ）。

之前大家都是围绕密度做文章，你在同样大的地块上盖更多的房子，自然就能住更多的人，但这是有一个极限的。

于是，人们开始寻求纵向上的延伸，就是多盖几层高楼，也就是 3D 堆叠 （ 3D NAND ） 技术。 存储行业已经可以从 64 层盖到 128 层， 200 层，甚至超过 300 层。

反映到存储芯片这边，就是层数越高，技术越领先，容量越大，每 GB 成本越低。

目前，海力士已经率先量产了 300 层以上 NAND，官方口径是 2025 年开始供货；长江存储是即将进入 300 层以上产品的量产；三星现在主力是 286 层，300 层以上的什么时候量产没说，但是大家咬得挺紧的，都是第一梯队。

技术上，各家大体上都是走 3D 堆叠路线，三星的叫 V-NAND、海力士的叫 4D NAND、闪迪的叫 BiCS、长江存储的则是 Xtacking。

Xtacking 的特点是，相较于其他厂商把读写单元和存储单元设计在同一颗晶圆上再投入生产的方式，Xtacking 是在两颗晶圆上独立造读写和存储单元，最后再把这两部分拼起来，中间做一个连接通道。

之前把读写和存储单元写在一起时，为了追求稳定 （ 闪存作为一种非易失性存储需求，对稳定性的追求非常高 ），这块晶圆不能用太先进的制程。因为虽然读写和存储单元各自有各自的最优选择，但是因为他们坐在同一块晶圆上，制程就得向下兼容，以最低的那个为准，比如明明可以一个用 14nm、一个用 20nm，但最终就得妥协成全用 20nm。这就丧失了一部分功耗和读写性能上的优势。

而 Xtacking 是把两边各自写好在中间连通，所以两边都可以用最优的制程，这就让 Xtacking 在传输速度、读写延迟、功耗上都可以有更好的表现。

与此同时，这样做还有一个好处，就是让研发成本降低、研发和生产周期缩短。因为过去两部分电路是连在一起的，设计上读写这边动一下，存储那边就也得跟着改，但是 Xtacking 是分开的就省了很多事儿。

这个技术路线的确很先进，甚至三星在下一代产品的规划中绕不过去 Xtacking 的专利，所以还找长江存储买了授权。。。

当然，就像前文说的一样，这行谁能活得长，并不全靠技术，主要还是比谁在技术保持不掉队的情况下能控制好产能，能有雄厚的资本撑过一个又一个周期。

这次 IPO，应该就是为了积累让自己不下牌桌的资本。