北京
截至11：22，上证科创板芯片设计主题指数（950162）大涨5.21%，成分股南芯科技涨10.16%、澜起科技涨9.37%、芯原股份涨8.13%、聚辰股份涨7.76%、普冉股份涨7.51%。
消息面上，英伟达Q2总营收达到创纪录的960亿美元，同比翻倍；其中数据中心营收环比增长18%至890亿美元；公司预计Q3总营收将达到1080亿美元(上下浮动2%)。首席财务官Colette Kress罕见地给出了长期预期，预计2028财年(对应自然年2027年)，公司营收将实现约70%的同比增长。
Vera Rubin 现已全面投入生产。英伟达首席财务官表示，本月早些时候已开始发货Vera Rubin；Vera Rubin每部署1吉瓦算力，对应约400亿美元的营收机会；预计Vera Rubin将在第三季度贡献约20%的数据中心业务营收。
此外，第三季度全球内存涨价情况仍然严重：根据摩根士丹利的最新预测，2026 年第三季度，DDR4 等成熟 DRAM 的价格将上涨 50%，第四季度将再涨 10%。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向 HBM、DDR5和更高层数的 NAND 闪存。
科创芯片设计ETF易方达（589030）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦芯片设计环节，是市场上纯正设计主题指数。数字芯片设计和模拟芯片设计为该指数的前两大权重行业，合计占比超90%。
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