北京
国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“背照式图像传感器及其制作方法”的专利，公开号CN122641117A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本申请中，通过在半导体衬底（例如硅衬底）的背面形成电荷诱导层，例如氧化铝，然后在所述电荷诱导层上形成场效应钝化层，由于氧化铝具有高负电荷效应，在受损的硅表面，氧化铝的负固定电荷会引导空穴在孔洞处有序堆积和中和，减少空穴与电子的随机复合，从而抑制暗电流波动，最终改善RTS噪声；其次，由于氧化铝具有低缺陷密度，可以减少载流子被界面缺陷和/或体缺陷捕获或释放的概率，避免随机电流波动，直接降低RTS噪声幅度；再者，由于氧化铝具有良好的热稳定性，在器件工作温度范围内，其材料结构与电学性能不发生劣化，能保证长期噪声抑制效果和暗电流稳定性。
天眼查资料显示，上海华力微电子有限公司，成立于2010年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本203619.2198万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力微电子有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目524次，专利信息4913条，此外企业还拥有行政许可108个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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