上海
财联社8月24日讯（编辑 刘蕊）随着美股第二季度财报季接近尾声，高盛报告指出，美股第二财报季披露的半导体资本开支数据普遍超出市场预期，各大半导体设备厂商也给出更为乐观的未来指引。
在这两大因素的共同推动下，高盛大幅上调了对全球晶圆制造设备（WFE）的支出预测。
美东时间周日，高盛在最新研报中，将2026-2028年WFE支出规模预期分别上调至1500亿美元、2180亿美元、2810亿美元，本次调整幅度远高于此前预估。这一变化反映出全球半导体资本开支周期正加速上行。
在同比增速方面，高盛将2026年全球WFE支出增速由32%上调至36%，2027年由32%上调至45%，2028年由12%上调至29%，意味着半导体设备行业景气周期有望延续至2028年。
台积电N2工艺为代工支出上行主要推手
在晶圆代工板块，高盛将2026-2028年代工设备资支出预测上调至580亿美元、840亿美元、1090亿美元，对应同比增速45%、45%、30%；此前的预测增速仅为30%、30%、16%，上调幅度显著。
代工板块资本开支预测上调，主要来自台积电。报告将台积电2026-2028每一年的资本开支预测均上调80亿美元，原因是N2（2纳米）制程设备投入强度超预期，叠加下游客户需求持续旺盛。
高盛指出，未来数个季度N2制程将进入大规模量产爬坡阶段，先进逻辑工艺将成为晶圆代工设备需求增长的核心来源。
DRAM设备支出增加但供应仍然紧张
DRAM板块同样迎来大幅上调。高盛把2026-2028年DRAM领域设备支出预测上调至480亿美元、720亿美元、970亿美元，同比增速分别为50%、50%、35%，其中2028年增速上调幅度最大。
DRAM板块的支出上行动力主要来源于两大韩国DRAM巨头——三星和SK海力士。高盛分析师Giuni Lee上调韩国三星电子2026-2028年均DRAM资本开支预期22%，SK海力士的上调幅度为19%。
值得关注的是，尽管全行业资本开支大幅增加，但高盛预计DRAM供给依旧紧张，产能约束将持续到2028年。
相比之下，NAND闪存的设备支出预测调整幅度有限，涨跌互现。高盛将2026年NAND的设备支出预测维持110亿美元不变；2027年从170亿美元下调至150亿美元；2028年由200亿美元上调至220亿美元。
高盛认为，未来短期NAND市场的增量资本开支将集中在产线升级改造，而非大规模新建产能，这一趋势将支撑2027年之前NAND供给维持偏紧格局。
逻辑芯片设备支出中长期有望大幅上调
高盛还大幅上调了逻辑芯片及其他板块的中长期支出预测。
高盛将2026-2028该板块支出预测上调至340亿美元、470亿美元、530亿美元；其中2027年由原先350亿美元上调至470亿美元，上调幅度达到34%；2028年自370亿美元上调至530亿美元，上调幅度达43%。
上调主要源于两点：第一，英特尔业绩表明其面临的需求好于预期，带动相关资本开支预测上修；第二，成熟工艺与模拟芯片市场迎来复苏。
除此之外，SpaceX与特斯拉合计为Terafab项目首期投入约168亿美元，相关支出现已纳入逻辑及其他板块测算，成为该板块中期重要新增增长来源。
整体来看，高盛对半导体设备板块维持看多立场。而此次大幅上调支出预测，对设备板块投资者具备明确指引：各大厂的资本开支预期抬升意味着设备厂商订单能见度持续改善，本轮行业上行周期有望延续至2028年。
（财联社 刘蕊）
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