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IT时代网8月23日消息，半导体研究机构SemiAnalysis近日发文，深入拆解了3D NAND闪存制造从钨向钼转型的技术逻辑与产业走向。
3D NAND大约在十年前停止横向微缩，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后，连接各存储单元的钨字线遭遇多重物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺引发漏电，而且在超深孔结构里无法有效填充。
SemiAnalysis明确指出，钼不是可选项，而是300层以上NAND的必选项。相比钨，钼电阻更低、带来更快读写速度，无需氟基化学工艺，在高深宽比结构中的填充能力也更好，恰好对应钨在深层堆叠里的关键短板。在厂商节点上，该机构梳理了铠侠/闪迪、三星、SK海力士、美光等各家在层数布局上的进展，材料切换已不再是工程改良，而具备技术必然性。
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