北京
国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种改善电镀边缘效应的光刻胶图形化方法”的专利，公开号CN122613652A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种改善电镀边缘效应的光刻胶图形化方法，包括步骤1：设计并制备图形边缘具有微观结构的光刻掩模版，微观结构选自锯齿状、波浪状、周期性凹槽、微孔阵列、岛状突起、正弦状中的一种或多种；微观结构的特征尺寸为0.1~10μm，重复间距为0.1~5μm；步骤2：在待电镀基底表面涂覆光刻胶，形成光刻胶层；步骤3：采用光刻掩模版对待电镀基底进行曝光、显影，在光刻胶图形边缘底部形成与微观结构轮廓一致的光刻胶残留层；光刻胶残留层的厚度为20~500nm，外延范围为30~500nm；步骤4：对待电镀基底进行等离子体活化与酸洗处理，随后进行金属电镀沉积。本发明通过图形边缘的微观结构与光刻胶残留层相配合，有效改善电镀边缘效应，缓解镀层厚度不均、图形失真的问题。
天眼查资料显示，强一半导体（苏州）股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本12955.93万人民币。通过天眼查大数据分析，强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目56次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息394条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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