北京
国家知识产权局信息显示，海纳半导体（深圳）有限公司申请一项名为“一种差分电容式差压传感器及其制造方法”的专利，公开号CN122591129A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种差分电容式差压传感器及其制造方法，涉及微机电系统（MEMS）的技术领域，包括衬底、差压敏感电容；差压敏感电容包括差压敏感膜、下极板、通孔、支撑体，差压敏感电容包括差压敏感膜、上极板、通孔、支撑体。差压敏感电容和差压敏感电容形成差分电容结构。本发明的制造方法是采用两个SOI基片利用MEMS工艺制造一种差分电容式差压传感器，两个差压敏感膜利用SOI基片硅膜刻蚀制成，厚度一样，形状一样，确保了两个差压敏感膜的一致性，同时利用氧化工艺确保了电容间距的准确性。
天眼查资料显示，海纳半导体（深圳）有限公司，成立于2025年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，海纳半导体（深圳）有限公司专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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