北京
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国家知识产权局信息显示，阿托梅拉公司申请一项名为“包含具有超晶格层的化合物半导体材料的半导体器件”的专利，公开号CN122603591A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种半导体器件可以包括半导体基板以及位于半导体基板上的超晶格层。该超晶格层可以包括多个堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。该半导体器件还可以包括III‑N族半导体堆叠，该III‑N族半导体堆叠包括位于超晶格层上方的多层III‑N族半导体层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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