北京
消息称，三星将重新规划一条在建生产线，以2nm制程制造HBM（高带宽内存）的基础裸片。产线目标2028年下半年投产，被视为三星为英伟达等客户扩大HBM供应的提前布局。
据TrendForce报道，三星正在考虑把建设中的“NRD-K Line 2”从研发产线改为晶圆代工厂的生产线，生产下一代HBM所需的基础裸片，补充先进制程产能。这条产线今年启动建设，计划2028年下半年投入使用，是一座规模相对较小的辅助设施，采用“小尺寸晶圆厂”模式，从其他量产线承接晶圆、完成特定制造步骤。NRD-K是三星在韩国器兴建设的新一代半导体研发园区，计划到2030年累计投入约20万亿韩元（约954亿元人民币），共建3条生产线，首条线已于2024年底完工。
HBM基础裸片正在经历一轮工艺升级。过去基础裸片一直使用DRAM工艺制造，从HBM4时代开始转向代工厂，改用逻辑芯片工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。据IT之家援引科技媒体Wccftech报道，基础裸片的首次重大变化出现在HBM3和HBM3E时代，厂商开始采用20nm到12nm不等的逻辑制程；到了HBM4，由于采用更强的总线和更多硅通孔（TSV），台积电和三星晶圆代工开始承担基础裸片制造。三星在今年2月量产的HBM4，即采用4nm基础裸片搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺的DRAM芯片。
竞争对手也在推进代工路线。SK海力士已与台积电合作，后者提供成熟的N12工艺和先进的N5工艺，用于制造HBM相关芯片。
针对更远的HBM5时代，三星计划以2nm基础裸片搭配1dnm（第七代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，预计速度比HBM4E高出50%以上。由于距投产仍有约两年的窗口期，TrendForce的报道也提到，不排除三星后续再次调整这条产线的用途。
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本文源自：市场资讯
作者：听潮
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