北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件以及半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN122579676A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括半导体基板，该半导体基板具有有源区，该有源区包括第一杂质注入区、第二杂质注入区和位于第一杂质注入区与第二杂质注入区之间的沟道区。第一杂质注入区和第二杂质注入区中的每一者包括：氮区，该氮区与半导体基板的上表面相邻；以及源极/漏极区，该源极/漏极区通过氮区与半导体基板的上表面分离并且包括导电杂质。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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