北京
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国家知识产权局信息显示，镓能国际有限公司申请一项名为“用于氮化镓场效应晶体管的浮置衬底开关方法及电路”的专利，公开号CN122580997A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，一种氮化镓场效应晶体管(GaNFET)功率开关包括衬底、金属层和控制电路，所述控制电路根据所述GaNFET功率开关的栅极的电位来控制所述金属层的电位。所述控制电路可以根据至少第一模式和第二模式来控制所述金属层的电位，其中所述第一模式由所述GaNFET功率开关的关断状态确定，所述第二模式由所述GaNFET功率开关的导通状态确定。在所述第一模式中，所述金属层的电位可以是浮置的，并且在所述第二模式中，所述金属层的电位可以与所述源极相同，或与所述栅极相同，或与所述栅极的电位成比例或是所述栅极的电位的单调函数。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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