IT之家 8 月 12 日消息,铠侠与闪迪今日联合宣布,推出第九代高性能 2Tb QLC 3D 闪存。该技术瞄准 AI 基础设施及数据密集型应用场景,力图化解 AI 工作负载带来的存储需求激增难题。
据悉,第九代 QLC 技术基于两家公司联合研发的 CMOS 直接键合阵列(CBA)架构,将先进 CMOS 晶圆与成熟的存储单元阵列平台相结合。与第八代 2Tb QLC 产品相比,新方案引入 6 平面架构及多项性能增强设计,显著提升读写带宽,同时优化了读写功耗效率。IT之家从官方新闻稿获悉,其 NAND 接口速度达到 4.8Gb/s,较第八代器件提升 33%。
![]()
铠侠首席技术官宫岛英史表示,随着 AI 应用从生成式 AI 向智能体和物理 AI 扩展,数据利用日趋多样化和复杂化。公司正通过将成熟的存储单元技术与最新 CMOS 技术相结合,加速第九代闪存开发,在保持较高投资效率的同时实现高性能。
闪迪首席技术官 Alper Ilkbahar 则指出,AI 的快速普及正在驱动存储接口迭代提速,市场对能更快进化的存储技术需求日益强烈。第九代 QLC 技术展示了 CBA 架构在分别推进 CMOS 与存储技术创新方面的灵活性,为应对未来 AI 存储挑战提供了新思路。
特别声明:以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布,本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.