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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、存储器系统”的专利，公开号CN122555158A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开的实施方式提供了一种半导体器件及其制备方法、一种存储器系统，其中半导体器件包括第一叠层结构、第二堆叠结构、连接层和选择栅切线结构。第一叠层结构包括在第一方向堆叠的选择栅极层。第二叠层结构在第一方向位于第一叠层结构的一侧，连接层在第一方向位于第一叠层结构的另一侧。选择栅切线结构沿第一方向穿过选择栅极层和连接层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1467次，财产线索方面有商标信息1027条，专利信息6194条，此外企业还拥有行政许可1009个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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