北京
国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体科技有限公司取得一项名为“一种GaN-HEMT芯片的防击穿结构”的专利，授权公告号CN224627076U，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种GaN‑HEMT芯片的防击穿结构，属于半导体器件技术领域，包括衬底、外延层、源极、漏极、栅极和防护环，防护环围绕源极和漏极设置在外延层边缘区域，通过电阻抵接结构与外延层电连接，外延层包括缓冲层和有源层，防护环采用内外双环设计并通过连接桥连接，围绕源极和漏极设置在外延层边缘区域，防护环通过电阻抵接结构与外延层电连接，电阻抵接结构包括多个抵接电阻单元，抵接电阻单元沿防护环周向均匀分布，通过合理的几何参数和材料选择，在高电压应力下提供电流疏导路径，避免电场集中，解决了现有GaN‑HEMT芯片容易击穿损坏的技术问题。
天眼查资料显示，青岛佳恩半导体科技有限公司，成立于2021年，位于青岛市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体科技有限公司专利信息40条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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