北京
国家知识产权局信息显示，杭州海乾半导体有限公司申请一项名为“一种超晶格结构4H-SiC外延层及其制备方法”的专利，公开号CN122555206A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了一种超晶格结构4H‑SiC外延层及其制备方法，其超晶格结构4H‑SiC外延层为硼/铝共掺超晶格外延结构；制备方法，包括以下步骤：S1、衬底准备：选取P型外延单晶片作为衬底，并将其置于CVD反应室中；S2、反应室环境设置：将反应室温度升至1500‑1650℃，压力控制在100‑500 mbar的低压范围内；S3、源气体通入：向反应室中通入硅源气体和碳源气体，作为生长SiC外延层的基础反应物；S4、超晶格结构生长：交替引入硼源气体和铝源气体；最终在衬底上形成所需的硼/铝共掺超晶格外延结构。通过B掺杂层与Al掺杂层交替生长获得超晶格外延结构，在获得超高Al掺杂浓度的同时，完美保持了4H‑SiC晶型。
天眼查资料显示，杭州海乾半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州海乾半导体有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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