北京
国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN122555190A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底，包括浅沟槽隔离结构定义的有源区，有源区包括第一有源区和第二有源区；半导体层，包括位于第一有源区边角的第一半导体层，以及位于第二有源区顶面的第二半导体层；栅极结构，包括位于第一有源区上的第一栅极以及位于第二有源区上的第二栅极；第一栅极的底面与第一有源区的顶面直接接触，第二栅极的底面与第二半导体层的顶面直接接触；第一半导体层直接接触第一有源区的顶面和侧壁，以及浅沟槽隔离结构的顶面。本申请的半导体结构可以改善半导体结构的性能，增大连接件的工艺窗口，降低工艺难度。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目559次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息1041条，此外企业还拥有行政许可86个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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