北京
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国家知识产权局信息显示，华东理工大学;中密控股股份有限公司申请一项名为“一种密封环端面金刚石薄膜沉积方法”的专利，公开号CN122543003A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种密封环端面金刚石薄膜沉积方法，其包括以下步骤：S1，提供密封环基体；S2，对密封环端面进行粗化预处理；S3，将粗化预处理的密封环以轴线平行于沉积平台的姿态布置，使密封环端面朝向侧向设置的热丝；采用沿竖直方向等距排布的热丝形成竖直热丝阵列，通过热丝化学气相沉积在密封环端面上形成金刚石涂层；所述竖直热丝阵列至少布置在密封环排布区域的前后两侧。本发明有效解决现有技术单炉装载量低、生产效率低、端面温度场不均的问题，提高涂层厚度一致性与结合强度，减少剥落，降低能耗和生产成本，实现大批量、均匀、低成本沉积，满足极端工况对密封环端面性能的高要求。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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