涨知识：AMD主板新BIOS翻车？可能是新的内存刷新模式没选对

最近不少AMD用户在更新BIOS后遇到了同一个问题：原本稳定运行的参数，在新版本下直接黑屏，连系统都进不去。同一套内存、同一套时序，旧BIOS稳稳当当用了半年，新BIOS一刷——卡DRAM灯、无限重启、抠电池才能救回来。甚至有些用户只是开了个EXPO，别的什么都没动，照样翻车。先别慌，问题不在你填的那些参数上。

这次BIOS更新改动了内存刷新机制，导致原本正确的参数被用错了地方。换句话说，你的参数没毛病，是AMD换了一套规矩——规矩变了，旧参数对不上号了。

先搞懂：Bank 和 tRFC 是什么？

说参数之前，得先搞懂两个东西——Bank 和 tRFC，以及两种刷新方式。

假设DDR5 内存里有 32 个 Bank，你可以把它想象成一栋 8 层楼的办公楼，每层 4 个房间，一共 32 间。数据就存在这些房间里，而内存刷新相当于物业定期上门查电路——确保数据不丢。

新方式有两种。一种是“整栋楼一起查”——32 个房间同时断电，查完再通电。这期间 CPU 要读写数据？不好意思，排队等着。另一种是“每层同查一间”——8 个楼层同时各关 1 间（同一编号的房间），共关 8 间，其余 24 间照常营业。显然，第二种堵得更少，CPU 撞上刷新窗口的概率大幅降低。游戏里那一下突然的卡顿，很多时候就是 CPU 正好撞上了前者锁死的窗口。

DDR5 标准给这两种方式起了名字：整栋一起查叫全 Bank 刷新（REFab），只查一间叫同 Bank 刷新（REFsb）。一个粗暴省事但阻塞久，一个精细灵活但对内存控制器的调度要求高得多。

不同的刷新方式，等待时间也不一样——这段等待时间就是 tRFC。全 Bank 刷新（REFab）因为查的房间多，用的值是 tRFC1，数值也是相对最大的。但 DDR5 还有一个叫 FGR 的机制，让 REFab 以更高频率、更短窗口执行，这时候 REFab 的等待时间就用 tRFC2，比 tRFC1 短得多。同 Bank 刷新（REFsb）因为只涉及部分Bank，等待时间最短，对应 tRFCsb。

旧规矩 vs 新规矩：到底变了什么？

以前的 BIOS 没有这么多选择。Bank Refresh Mode 就一个——Normal。内存控制器（IMC)只管一种刷新操作：全 Bank 刷新走 tRFC1。你把内存插上，开个 EXPO，完事。更新 AGESA 1.2.8.0 之后，这个选项变成了三个。

Normal（全 Bank 刷新）——老规矩，跟以前一模一样。IMC只走 REFab，只用 tRFC1，tRFC2 和 tRFCsb 一概不读。最省心，兼容性最好，也是一些大厂官方实测后推荐的游戏默认值。

FGR（细粒度刷新）——开到这一档，IMC进入 FGR 模式，但只走 REFab。刷新频率翻倍（tREFI 减半），等待时间从 tRFC1 切换到更短的 tRFC2，tRFCsb 不生效。相当于 FGR 功能的“半开”状态。

Mixed（混合刷新）——三种刷新操作全开，也就是 JEDEC 定义的完整 FGR 实现。IMC 在 FGR 模式下同时使用 REFab 和 REFsb，tRFC2 和 tRFCsb 都生效，tRFC1 不再参与。

而这次 AGESA 更新改动的本质，就是一些主板的默认选择从 Normal模式切到了Mixed模式。 以前 IMC 只读 tRFC1，现在改读 tRFC2 和 tRFCsb。我们在内存监测软件《ZenTimings》中可以看到：同一套参数，tRFC(ns)可能直接腰斩——我们用同一块板、同一条内存实测，旧 BIOS Normal 下 tRFC(ns)=409ns，新 BIOS Mixed 下骤降到 219ns。

以前Normal模式是不会看你tRFC2 和 tRFCsb的数值的，哪怕这两个数值有问题也不影响你开机，我们也能看到在该模式下，软件中tRFC2 和 tRFCsb两项数值均为灰色。但是使用了新的Mixed模式，情况变得截然相反，tRFC1的数值不会被采用，tRFC2和tRFCsb的数值将变得至关重要，如果此时给的数值不合理，那你的内存自然也就过不了测，进不了系统了。

三种模式怎么选？

并不是更新了新东西我们就一定要选。所以给出以下结论：

更新后用老版参数黑屏了：清 CMOS → 进 BIOS → 搜 Bank Refresh Mode → 改成Normal模式

平时只开EXPO 就不想折腾的：不要多想，就选Normal模式，这是不会犯错的模式。

手超玩家想冲极限：Mixed模式外加手动调参数。调对了综合表现确实优于 Normal模式，前提是你需要大量的测试和足够的耐心。

这次刷新模式的改动，本质上不是为了让你跑分更高。AMD 的官方公告写得很明白：目的是修复“Rowhammer”安全漏洞，刷新机制改变只是附带的产物。不管是官方测试还是玩家自己的实测，三种模式之间的实际差距都非常小——跑分多个一两百分、游戏多个几帧，日常用起来根本感觉不到。

上 Mixed模式，参数给多少合适？

Mixed 模式下 tRFC1 不生效，只需要调两个：tRFC2 和 tRFCsb。

我也找到了目前广被大家采纳的计算公式：tRFC2 =（内存等效频率 ÷ 2000）× 颗粒最小 tRFC 延迟（ns）

这里面每个厂商的颗粒最小tRFC延迟都不太一样，且每个人手上的颗粒品质都有差异，以下数据仅为参考：如果你的内存是海力士A-Die颗粒，极限点按120ns算差不多了（如此一来计算公式就是tRFC2 =内存等效频率÷ 2000×120），新老M-die可以按160ns算，而国产颗粒保守点可以比这个稍高一点算180ns。

tRFCsb ≈ tRFC2 × 0.81，保守起见直接写成一样也行。当然这是个理论值，如果你的颗粒品质足够优秀可以再压得低点，能开机过测就行。

最后说几个注意事项

更新 BIOS 前，可以记录当前所有设置——内存参数、PBO、风扇曲线，有些主板BIOS更新 BIOS 这些数据会重置，省得回来折腾。也有些主板BIOS支持直接保存配置文件，清空后再载入，就只需要修改内存参数。

各板厂默认值不一样：例如华硕主板默认 Mixed模式；技嘉和微星默认是Normal模式。更新前先搞清楚自己板子默认走哪条路。

调试参数，黑屏急救流程：关机断电 → 清CMOS（找不到清CMOS的跳线也可以抠电池等5分钟） → 装回开机按Del键进BIOS → 修改相应参数 → 保存重启。重复这一流程到能开机，然后进行内存压力测试，能过测也就说明参数是可用的。

最后再重申一下，AMD这次更新内存刷新模式不是为了提升性能，如果大家电脑用起来没问题，也不是非要升这个BIOS不可。当然，如果更新了最新BIOS发现原有的内存设置工作不正常，那就可以根据我们前面介绍的方法来修改。