吉林
当地时间8月4日，美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心，三星电子DRAM开发室常务金经纶在FMS 2026上发表演讲。（图片来源：三星电子）
三星电子、SK海力士等韩国半导体企业纷纷在全球舞台展示下一代存储器产品和技术，抢占市场的竞争由此全面展开。也有分析认为，得益于韩国企业积极扩大投资，韩国未来5年仍将占据全球存储器市场领先地位。
当地时间4日，三星电子在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的“2026未来内存和存储峰会”（FMS 2026）上，首次公开采用全新设计方式和结构的下一代存储器概念模型。除韩国企业外，美国美光科技、闪迪、AMD、IBM和日本铠侠等全球半导体及信息技术（IT）企业也参加了此次活动。
三星电子的zHBM模型。该结构将三星电子的高带宽存储器（HBM）垂直堆叠在承担人工智能（AI）运算核心功能的AI加速器（xPU）之上。（图片来源：三星电子）
当天，三星电子DRAM开发室常务金经纶在主题演讲中展示了下一代三维（3D）存储器zHBM原型。不同于以往将高带宽存储器（HBM）平面排列在承担人工智能运算核心功能的AI加速器（xPU）芯片旁，该产品采用全新结构，将存储芯片像公寓楼一样层层垂直堆叠在加速器之上。
据三星电子介绍，这一设计最大限度缩短了AI加速器与存储器之间的数据传输距离，从而提高数据传输速度和能效，性能最高可达第八代高带宽存储器HBM5的8倍。金经纶当天自信地表示：“三星回来了。”
三星电子在会场设置了约66平方米的展区，展示了专为在智能手机等数码设备上直接运行的“端侧AI”(On-device AI)而优化的高性能NAND闪存“zNAND-O”模型以及堆叠层数超过400层的“第十代V-NAND”（V10 BV-NAND）产品。这些产品的共同特点是，为适应人工智能环境下大规模数据处理需求，提高了数据读写性能。
SK海力士的高带宽闪存（HBF）。（图片来源：SK海力士）
当天，SK海力士也设置了独立展区，并首次公布了与美国闪迪共同制定的下一代人工智能存储器——高带宽闪存（HBF）标准规格。该技术借鉴高带宽存储器（HBM）垂直堆叠DRAM芯片的方式，将NAND闪存堆叠为8层或16层，以扩大存储容量。这项新技术旨在应对人工智能模型推理应用日益普及、待处理数据量急剧增加的趋势。
法国市场研究机构Yole集团分析师约瑟芬·刘（Josephine Lau）当天在活动中预测，韩国到2031年仍将保持“存储器强国”地位。她认为，韩国政府制定了在5年内将存储芯片产能提高至目前两倍的计划，三星电子和SK海力士也在积极扩大相关投资，这是韩国能够继续保持优势的重要原因。约瑟芬·刘还分析称，随着人工智能市场由“训练”主导转向以“推理”为中心，存储器新产品的开发周期已由过去的18个月大幅缩短至12个月。换言之，面对瞬息万变的市场环境，存储器企业也不得不进一步加快应对速度。
作者：韩民族日报 朴钟午 记者
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