广东
8月7日消息，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，公司董事会决议通过，将投资54.3万亿韩元（约合人民币2600亿元）分别在韩国龙仁和清州新建晶圆厂，以应对AI 时代持续增长的存储芯片需求。
具体来说，SK海力士将龙仁“Y2”晶圆厂和清州“M17”晶圆厂项目中分别投资35.2万亿韩元和19.1万亿韩元，合计投资约54.3万亿韩元。该计划是落实公司2026年6月公布的中长期投资策略的另一个关键进展。
此前，SK海力士宣布计划向龙仁半导体集群投资600万亿韩元、向清州生产基地扩建投资100万亿韩元。目前，龙仁的首座晶圆厂“Y1”的建设正有序推进，此次投资决定标志着龙仁和清州两地后续晶圆厂建设计划启动。
根据市场调查机构Omdia预测，从2025年至2030年， DRAM和NAND Flash市场需求年平均增长率将达19%。SK海力士表示，这并非一时的产业景气，而是源自于存储芯片已从普通的零部件升级为决定AI性能的核心基础设施，进入结构性增长阶段。
SK海力士指出，在AI时代，仅凭技术竞争力已不足以保持优势；能否在客户所需时间点交付足量产品，才是真正的竞争力。此次新建产能投资的决定是基于对市场需求进行充分评估后作出的。
SK海力士强调，龙仁Y2是该公司在龙仁半导体集群内依序建造的四座晶圆厂计划中的第二座，总建筑面积约113万平方米，将做为DRAM生产基地投入营运。该工程计划明年7月开工， 2029年6月启用首个无尘室，主要生产HBM等新一代DRAM产品。目前， 已经在建的Y1晶圆厂进展顺利，预计2027 年2月启用首座无尘室。
SK海力士此前已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年，完成四座晶圆厂的全部建设。此次Y2晶圆厂建设即为支持此目标的第二阶段关键举措，投资将分阶段实施至2031年10月。而本投资开花还包括为Y2员工配套的办公及福利设施支援大楼、集开发产品实验、测试与分析一体的研发综合中心，以及相关配套设施*等建设费用。
龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地约416万平方米。目前，支持Y2晶圆厂投产的第一期电力、供水基础建设已完成99%，进入收尾阶段。SK海力士的目标是，晶圆厂与基础建设同步进行，Y2晶圆厂将按原定计划稳步推进，确保工期不受影响。
至于SK海力士选择在清州建造新的NAND Flash生产基地，已建成M11、M12、M15这三座NAND Flash生产设施，新建的M17晶圆厂可与现有产线协同增效。同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。
清州M17晶圆厂总建筑面积约68万平方米，计划明年2月动工， 2028年12月启用首座无尘室。投资期间将持续至2031年4月，并将依业务进度分阶段实施。
SK海力士表示，公司将基于与客户的中长期需求沟通，前瞻性布局生产基础设施，并依客户实际需求时点分阶段扩大生产能力。晶圆厂建设将按计划推进，而无尘室扩建及设备投入则将依据市场动态逐步实施，以提升投资效率。
SK海力士进一步强调，此次投资不仅夯实未来成长基础，也将增强韩国半导体产业生态竞争力，带动区域经济发展。龙仁与清州两地同步推进的大规模投资，可望为合作伙伴企业创造更多协同增长机会，并透过创造就业、激活本地商圈，为韩国经济的可持续增长作出贡献。
编辑：芯智讯-浪客剑
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
