海力士：54万亿，扩产DRAM、NAND

海力士砸 54 万亿韩元扩建两大芯片工厂，筑牢 AI 存储中长期产能底座

• 本次 SK 海力士将向龙仁 Y2 工厂投入 35.2 万亿韩元、向清州 M17 工厂投入 19.1 万亿韩元，落地中长期产能布局。

• 公司将推进中长期投资战略，清州 M17 工厂将于 2028 年 12 月建成投产，龙仁 Y2 工厂无尘车间将于 2029 年 6 月正式投用。

• 此次投资将同步扩充 DRAM 内存与 NAND 闪存产能，根据市场客户需求持续提升产能规模。

• SK 海力士表示，本次战略性投资旨在紧跟市场增长节奏、抢抓行业发展机遇，同时助力全球 AI 半导体供应链稳定保供。

注：54 万亿韩元 ≈ 2572 亿元人民币

SK海力士今日宣布，为应对人工智能时代日益增长的存储器需求，公司决定在龙仁和清州新建晶圆厂。在董事会会议上，公司批准了总额约54万亿韩元的投资计划，其中35.2万亿韩元用于龙仁“Y2”晶圆厂，19.1万亿韩元用于清州“M17”晶圆厂。

此举是公司去年6月公布的中长期投资战略的落实。根据其在龙仁半导体产业集群投资600万亿韩元、在清州生产基地扩建投资100万亿韩元的总体规划，SK海力士目前正在龙仁建设其首座晶圆厂（Y1）。此次新厂的建设标志着公司将在龙仁和清州启动后续晶圆厂的建设。

据市场研究公司Omdia预测，DRAM和NAND的需求将从去年到2030年保持19%的复合年增长率（CAGR）。该公司认为，这种增长并非昙花一现的超级周期，而是一场结构性变革，存储器将超越其作为单一组件的角色，成为决定人工智能性能的核心基础设施。

SK海力士表示，在人工智能时代，仅靠技术竞争力是不够的，能够在客户需要的确切时刻提供所需数量的产品才是最终的竞争优势。我们在对市场需求进行全面评估后做出了这项投资决定。

龙仁Y2是龙仁半导体集群规划建设的四座晶圆厂中的第二座，将作为DRAM生产基地，总建筑面积达34.1万坪（约113万平方米）。该项目计划于明年7月破土动工，目标是在2029年6月启用首个洁净室，用于生产高带宽内存（HBM）和其他下一代DRAM产品。与此同时，Y1的建设也在稳步推进，预计将于明年2月启用首个洁净室。

SK海力士此前设定目标，将龙仁半导体产业集群的竣工日期提前12年——从原计划的2045年提前至2033年——以完成全部四座晶圆厂的建设。Y2的建设是支持这一加速计划的第二阶段，投资将持续到2031年10月。投资额包括为Y2员工提供行政和福利设施的“业务支持大楼”、用于整合产品开发测试、分析和实验的“综合研发中心”以及其他辅助基础设施的建设成本。

位于京畿道龙仁市处仁区元三面，占地约126万坪（约416万平方米）的龙仁半导体产业集群，其一期工程（直至二期运营）所需的电力和水利基础设施建设已接近尾声，目前进度已达99%。由于晶圆厂建设和基础设施搭建同步进行，公司计划按计划推进二期工程的建设。

在NAND闪存市场，受人工智能服务全面扩张的推动，以企业级固态硬盘（SSD）为中心的需求正迅速增长。人工智能推理中对键值（KV）缓存到存储的需求进一步推动了这一增长，随着智能体人工智能和物理人工智能的引入，其应用领域预计将进一步拓展。

SK海力士选择清州作为其新的NAND闪存晶圆厂基地，是因为清州拥有最快的晶圆厂建设周期。清州园区已建成M11、M12和M15晶圆厂，与现有运营设施无缝衔接，并配备了完善的电力和水利基础设施，从而能够高效地进行生产。清州M17晶圆厂占地20.6万坪（约68万平方米），计划于明年2月破土动工，并于2028年12月启用首个洁净室。根据总体规划，投资期将持续到2031年4月。

SK海力士计划根据与客户讨论的中长期需求，积极保障生产基础设施，并根据客户需求的进展情况逐步扩大实际产能。晶圆厂将按照总体规划建设，而洁净室的扩建和设备安装将根据需求趋势分阶段进行，以最大限度地提高资本效率。

该公司预计，这项投资将为未来的增长奠定坚实的基础，同时增强国内半导体生态系统的竞争力，并促进当地经济发展。在龙仁和清州的大规模同步投资预计将为供应链合作伙伴拓展共同增长机遇，创造就业机会，并振兴当地商业区，从而为国民经济的可持续发展做出贡献。

SK海力士一位负责人表示：“这项投资是为了抓住市场增长机遇而做出的决定。通过积极保障产能，我们旨在成为人工智能基础设施的关键合作伙伴，为全球人工智能半导体供应链的稳定做出贡献。”

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