上海
高盛认为，韩国股市近期的剧烈波动已将存储芯片行业的基本面预期压至过度悲观的水平，当前估值并未反映这一周期真实的强度与持续性。
据追风交易台消息，高盛亚洲（首尔分部）交易员Justin Park在8月7日发布的报告中指出，市场当前定价所隐含的基本面悲观程度"超出实际情况"，存储周期的强度与持续时间均可能超越以往。
高盛的积极立场建立在供需结构性失衡的判断之上——供给端存在深度短缺，DRAM供应短缺或将延续至2030年，由此支撑存储厂商强劲的定价能力与盈利能力。Park认为，围绕存储周期的多项担忧虽有其合理性，但不足以动摇这一长期、大规模周期的基准情景。
与此同时，技术面已明显改善：杠杆ETF规模收缩、保证金敞口下降、监管趋严以及对冲基金仓位有所回落，令市场筹码结构趋于干净。
高盛维持对韩国市场的超配立场，并保留KOSPI未来12个月指数目标位12,000点不变。韩国KOSPI在6月22日高点后一度重挫39%，随后于7月31日单日暴涨17.9%，创下历史最大单日涨幅。
KOSPI暴跌的根源：杠杆资金放大了周期担忧
高盛指出，KOSPI此轮急跌并非源于基本面的实质恶化，而是由对存储周期持续性的担忧所触发，并经由杠杆ETF的被动抛售以及短期动量型投资者的跟风卖出而显著放大。
从技术面来看，随着杠杆ETF资产管理规模下降、保证金敞口收缩、监管政策收紧以及对冲基金仓位适度回落，市场筹码结构已大幅改善。高盛认为，这为后续行情的修复奠定了基础。
高盛“反驳”空头三大核心担忧
担忧一：英伟达下调HBM规格配置
据科技媒体The Information报道，英伟达正在评估为下一代AI芯片"Rubin Ultra"采用更低规格的HBM配置方案。TrendForce进一步披露，英伟达考虑以8层堆叠的HBM4e、12层HBM4或8层HBM4替代原定的12层HBM4e基准设计，主要目的是在HBM供应紧张的背景下保障量产稳定性。
高盛的解读与市场的悲观情绪截然相反：这一情况恰恰印证了HBM供给的结构性瓶颈——HBM已成为当前AI产业链中供给最为短缺的核心组件之一，其可获得性将是全球AI产业扩张的关键制约因素。
担忧二：SK海力士长期协议策略的机会成本
SK海力士为锁定稳定出货量、支撑前期大规模资本开支，与客户签订了大量长期供货协议（LTA），但这也导致相当一部分产能被绑定在旧款HBM3E产线上，限制了其向常规DRAM需求及面向AMD、Meta、谷歌等客户的新一代HBM4机会灵活切换的能力。
这一产能锁定效应已在市场份额数据上有所体现：SK海力士二季度DRAM市场份额降至26%，三星电子重夺榜首，份额升至39%，美光与SK海力士的差距也收窄至仅1个百分点。高盛认为，SK海力士下一阶段的竞争力，将取决于其能否快速动态地完成产线切换。
担忧三：NAND"超预期但低于市场期望"的叙事
SanDisk（原西部数据NAND业务）公布四季度营收897亿美元，高于市场一致预期的830亿至850亿美元区间，但一季度营收指引103亿至108亿美元略低于市场高度乐观的预期108.2亿美元，引发获利了结。此外，消费及边缘计算（智能手机、PC）业务环比大幅下滑32%，管理层预计相关市场要到2027年才能出现实质性复苏。
高盛对此的结构性判断是：NAND可通过增加堆叠层数（未来两至三年内有望达到500至600层）扩大产能，但DRAM的制程微缩空间已趋于饱和——1c DRAM实际上已处于11纳米节点，10纳米或将是可实现的最后一个节点。随着制程向1c/1d/0a推进，良率下降、EUV设备采购及洁净室扩建所需的资本开支将大幅攀升，从结构上支撑高盛对存储周期的积极判断。
需求侧：两个积极信号
华尔街见闻文章此前写道，长鑫存储已拒绝苹果的降价要求，理由是来自华为、小米等国内科技巨头的需求依然旺盛。高盛认为，CXMT报价与三星电子及SK海力士相当，这一强硬定价立场折射出中国国内存储需求的爆发式增长。
另外，AI初创公司DeepSeek正计划对其API服务实施"大幅"提价，标志着超低价补贴式AI推理时代正在走向终结。
高盛认为，这一转变背后是DeepSeek为筹备2026年底至2027年潜在IPO、以及在内蒙古建设1GW数据中心所面临的巨大资本需求，其战略重心正从激进抢占市场份额转向可持续盈利。
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