北京
国家知识产权局信息显示，厦门东微电子装备有限公司申请一项名为“基于等离子仿真的刻蚀参数调整方法及设备”的专利，公开号CN122508974A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供一种基于等离子仿真的刻蚀参数调整方法及设备，属于半导体领域，该方法包括：获取多个参数组合，参数组合包括射频功率、腔室压强及腔室温度；基于深度模型确定参数组合对应的第一选择概率，并根据第一选择概率从多个参数组合中确定参考子集；对参考子集迭代计算，迭代中根据参数组合对应的第二选择概率确定多个目标组合，基于目标组合的功率沉积分布仿真结果计算刻蚀均匀度，并根据刻蚀均匀度更新第二选择概率及评价指标；将迭代终止时评价指标最高的参数组合确定为最优参数组合。本发明通过优化等离子体参数仿真的过程可以提高等离子体仿真的效率，进而可以解决现有技术中的刻蚀工艺参数调整效率低的技术问题。
天眼查资料显示，厦门东微电子装备有限公司，成立于2024年，位于厦门市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门东微电子装备有限公司参与招投标项目1次，专利信息7条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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