截至8月5日11时12分,芯片概念震荡拉升,同指数费率最低标的——科创芯片ETF(588290)上涨5.15%。成分股中,中微公司上涨11.75%,中船特气上涨10.47%,拓荆科技上涨9.54%。
消息面上,三星电子在美国加州“未来内存与存储”大会上集中展示面向AI时代的下一代内存技术,包括超400层V10B V-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM及zNAND-O架构。其中V10B V-NAND采用晶圆键合架构,存储密度较前代提升约58%,读写速度与输入输出性能均得到改善,力图在近万亿美元存储芯片市场中巩固领先地位。
相关研究机构表示,海外AI资本支出持续超预期将带动光模块、光纤光缆与服务器产业链发展,而国内长鑫IPO及国产模型厂商自研芯片趋势正推动国产AI芯片设计、制造及材料设备产业链升级,形成双重驱动的AI产业增长逻辑。(风险提示:以上信息仅供参考,不构成投资建议。入市有风险,投资需谨慎。)
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