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在全球存储与存储技术大会（Future of Memory and Storage， FMS 2026）于美国加州圣克拉拉举行期间，全球先进内存技术领导者三星电子集中展示了其最新的人工智能（AI）内存创新成果。三星凭借在DRAM、NAND、企业级存储及相关半导体技术领域的深厚积累，全面展现了面向未来AI基础设施的最新产品阵容与技术路线图。
在以AI云服务器为灵感的展位现场，三星展出了约30项前沿内存与存储技术，并首次公开了zHBM与zNAND-O的概念模型，以及行业首款堆叠层数超过400层的V10 BV-NAND闪存。
在大会开幕主题演讲中，三星电子闪存产品与技术负责人李金烨（Jin-Yub Lee）副总裁与DRAM设计团队项目负责人金庆轮（Kyungryun Kim）副总裁，共同发表了题为《推动AI革命浪潮：内存与存储架构中的3D创新》的主旨演讲。两位高管阐述了三星通过下一代3D结构提升AI系统性能与能源效率的战略愿景，以满足高性能计算（HPC）与AI基础设施日益增长的需求。与此同时，三星还首次公开了基于全新晶圆键合（Wafer Bonding）技术的V10 BV-NAND架构。
针对下一代3D内存架构，三星推出的zHBM与zNAND-O概念模型引人瞩目。其中，专为先进AI计算设计的zHBM突破了传统将HBM放置在处理器旁边的设计范式，开创性地将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方。通过极大地缩短AI处理器与内存之间的数据传输距离，zHBM能提供极高的带宽与更优的能效，可大幅加快大规模AI训练与推理所需的数据处理速度。搭载zHBM的下一代接口系统，预计其性能将达到HBM5的约8倍。结合下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度可提升至HBM5的10倍以上，能源效率提高3倍，热阻降低一半以上，从而显著保障高容量、高带宽系统的稳定性。此外，zHBM还支持客户定制化设计，允许在内存与AI加速器之间的中间层集成定制IP，用以扩充内存容量并增强加速器性能。三星表示，将继续与客户紧密合作，通过zHBM进一步优化AI处理器与内存的集成度。
在NAND领域，三星推出了基于其V-NAND技术研发的下一代高性能解决方案zNAND-O，目前正在研发4层和8层版本。该方案结合了高空间利用率、改善的I/O性能以及低延迟特性，专门针对支持实时、数据密集型应用边缘AI（Edge AI）环境进行了优化。
作为本次展示的重磅技术之一，三星宣布推出业内首款采用全新键合V-NAND（Bonding V-NAND）架构的V10 BV-NAND。这是继2013年闪存峰会上首次推出V-NAND技术13年之后，三星在NAND创新历程中迎来的又一重要里程碑。具备400以上堆叠层数的V10 BV-NAND不仅实现了更高的性能与能效，还大幅提升了存储密度。通过应用晶圆键合技术进行存储单元堆叠，V10的内存密度相比上一代（V9）提升了约58%。除了层数的跨越，V10 BV-NAND在读取、写入及I/O性能方面均较前代有所突破，能够为未来的AI系统与应用提供高性能、大容量的NAND支持。
在AI内存与存储路线图方面，三星全面展示了包括HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及PM1763在内的完整产品矩阵。继今年2月利用1c DRAM和4纳米（nm）基础裸片（Base Die）技术在业内率先量产HBM4后，三星已于5月向全球客户率先出货HBM4E样品，进一步巩固了其在下一代HBM领域的领先地位。在展出HBM4E样品与HBM5模型的同时，三星还展示了业内首款集成内存内计算（PIM）技术的LPDDR5X-PIM内存，该方案通过在内存内部直接进行数据处理，有效提升了数据传输与功耗方面的效率。此外，展会还囊括了PM1763和BM1773等最新的企业级存储解决方案，旨在满足AI数据中心不断增长的存储需求。
作为全球唯一一家拥有涵盖内存、晶圆代工（Foundry）和先进封装（Advanced Packaging）全链条能力的综合半导体厂商（IDM），三星在此次大会上强调了其贯穿下一代AI基础设施的全套一站式（Turnkey）解决方案能力。从产品设计到批量生产，三星能够提供一体化的研发与制造服务，帮助客户缩短产品开发周期，优化性能与功耗，协助客户快速将具有竞争力的AI半导体解决方案推向市场。
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