河北
来源：今日芯闻
8月4日，正值美国闪存峰会（FMS 2026）在加州圣克拉拉开幕之际，SK海力士宣布联手闪迪（Sandisk）共同发布下一代存储技术“高带宽闪存（High Bandwidth Flash，简称HBF）”的首个标准规范。这是继双方2025年8月启动标准化合作、2026年2月成立HBF联盟后，历时约6个月推出的首项成果。
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填补HBM与SSD之间的性能鸿沟
HBF被定义为一种介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级。它兼具接近HBM的高速数据传输能力，同时依托NAND闪存技术实现存储容量的大幅扩展。在AI推理加速普及、数据处理需求呈指数级增长的背景下，HBF被视为破解AI时代“内存墙”瓶颈的关键技术之一。
从技术架构来看，HBF借鉴了HBM的3D堆叠思路，但用NAND闪存替代DRAM作为存储核心，通过硅穿孔（TSV）技术将多层NAND芯片垂直堆叠。与HBM主要服务于延迟敏感型计算任务不同，HBF在系统架构中更专注于大容量顺序读取场景，例如AI模型参数的快速加载。两者分工协作，HBM负责高带宽的实时计算，HBF则作为支撑层承接容量扩展任务。
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2
最高512GB容量、3.0TB/s带宽
根据此次发布的标准规范，HBF定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量。带宽按三个等级（Grade 1~3）设定标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
值得关注的是，HBF与处理器之间采用行业标准UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）互联接口，为HBF与GPU、CPU等不同类型处理器的灵活连接奠定了基础。此外，该规范还涵盖了互联接口与电气特性、HBF Die堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及数据读写软件使用指南等内容。
该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）正式发布，定位为行业通用开放标准，而非企业私有标准。以开放标准而非私有技术推向市场，意味着HBF有望吸引更多产业链玩家参与，加速生态体系的成熟。
随着首个开放标准的落地，HBF能否真正成为AI存储架构中的关键拼图，仍有待市场验证。但可以肯定的是，SK海力士与闪迪的这次联手，为破解AI时代的存储瓶颈开辟了一条全新的技术路径。
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