北京
来源：滚动播报
（来源：财闻）
英伟达对Rubin Ultra这一代产品的首要任务是提高I/O(输入/输出)速度，而扩大GPU出货量则是次要任务。如果英伟达最终决定降低HBM规格，预计将通过减少DRAM的堆叠层数来实现。
8月4日，根据集邦咨询(TrendForce)最新的内存行业研究，DRAM供应短缺预计将持续到2027年。由于HBM4e的验证时间线仍存在不确定性，英伟达自2026年第三季度以来一直在重新评估Rubin Ultra 的HBM(高带宽内存)配置。虽然最初的计划是采用12层堆叠(12hi)的HBM4e配置，但英伟达目前正在并行评估多种设计方案——包括HBM4e 8hi、HBM4 12hi以及HBM4 8hi——最终的规格尚未敲定。除英伟达外，据悉，部分云服务商(CSP)也在考虑减少其下一代自研ASIC(专用集成电路)芯片上的HBM容量。
从2025年到2026年上半年，英伟达一直将12hi HBM4e作为Rubin Ultra的基准设计。然而，从2026年第三季度初开始，该公司开始审查较低规格的替代方案。这一转变源于供应端的两大核心限制：首先，预计2027年出现的整体DRAM短缺，限制了内存晶圆厂能够分配给HBM生产的晶圆产能；其次，12hi HBM4e的验证时间线以及量产良率提升的速度仍存在不确定性。
集邦咨询解释称，英伟达对Rubin Ultra这一代产品的首要任务是提高I/O(输入/输出)速度，而扩大GPU出货量则是次要任务。如果英伟达最终决定降低HBM规格，预计将通过减少DRAM的堆叠层数来实现。
归根结底，HBM4e能否按期完成验证并进入量产，将决定Rubin Ultra的I/O速度能否从前一代Rubin的8–11.7 Gbps提升至14–16 Gbps，还是只能通过优化后的HBM4设计维持在11–12 Gbps的水平。
同时，在同一代产品中，DRAM的堆叠层数决定了“单颗GPU的HBM容量”与“可出货的GPU数量”之间的权衡取舍。
集邦咨询还认为，最终的配置将取决于内存制造商的晶圆产能分配决策。在供需方面，2027年HBM的位元出货量预计将同比增长50–60%，但即便如此，预计仍无法跟上需求增长的步伐。
随着这些供应限制的持续存在，HBM供应商预计在整个2027年都将牢牢掌握定价权。业界目前已普遍预期HBM价格将大幅上涨。因此，AI芯片制造商将面临HBM供应有限和采购成本上升的双重负担——这进一步增强了它们采用较低HBM容量配置的意愿。
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