北京
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国家知识产权局信息显示，微芯片技术股份有限公司申请一项名为“用于感测背对背配置中的电流的方法和装置”的专利，公开号CN122514879A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，提供了一种用于感测背对背MOSFET配置中的电流的装置。该装置可以包括：第一MOSFET，该第一MOSFET具有栅极端子、漏极端子和源极端子；第二MOSFET，该第二MOSFET具有源极端子、栅极端子和漏极端子，该源极端子耦接到第一MOSFET的源极端子；栅极驱动器电路，该栅极驱动器电路包括至少一个栅极驱动输出端子，该至少一个栅极驱动输出端子用于向第一MOSFET的栅极端子和第二MOSFET的栅极端子输出栅极驱动信号；以及分流电阻器，该分流电阻器耦接在第一MOSFET的源极端子与第二MOSFET的源极端子之间。栅极驱动器电路可以包括耦接到第一MOSFET的源极端子的返回端子，并且来自第二MOSFET的栅极端子的返回电流流过分流电阻器到栅极驱动器电路的返回端子。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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