四川
盘面上，两市低开高走，芯片设计概念上涨。相关ETF方面，科创芯片设计ETF天弘（589070）标的指数盘中涨3.6%，成交额达6932.72万元；换手率达3.72%。成分股中，芯朋微、杰华特、新相微、芯原股份、帝奥微涨超5%，裕太微-U、澜起科技、龙迅股份等多股跟涨。
科创芯片设计ETF天弘（589070）最近30个交易日累计获资金净流入18.67亿元。截至2026年8月3日，该基金最新规模为18.26亿元，为同标的第一。
科创芯片设计ETF天弘(589070)，精准聚焦于上证科创板芯片设计主题指数，专门投资于科创板中技术壁垒最高、创新属性最强的芯片设计公司。其权重股均为科创板硬核科技代表，包括：澜起科技（内存接口芯片全球龙头）、海光信息、寒武纪、芯原股份（芯片设计平台龙头）、佰维存储（存储芯片设计）等。该ETF还配备了2只场外联接基金（A类：027574；C类：027575）。
近三年数据显示，科创芯片设计指数PE-TTM为193.24倍，当前估值处于近三年12.42%分位，低于近三年87.58%的时间，已具备一定估值性价比。
消息面上，据网易财经，全球存储芯片连续三季度涨价，7月销售额达746亿美元创历史新高，且据中国基金报，SK海力士二季度利润飙升并大幅扩充HBM产能，同时据集微网，长鑫存储LPDDR6已进入送样阶段，小米也因存储成本飙升上调9款机型售价，产业链量价齐升信号明确。
东吴证券认为，AI算力基础设施建设正推动存储进入“超级周期”，Server DRAM供需紧平衡有望持续至2027年，同时3D DRAM商业化放量将激发端侧AI新需求，国产DRAM扩产也将带动产业链景气度系统性抬升。 分析师指出，Fabless轻资产模式赋予芯片设计企业强经营杠杆，产品放量阶段利润弹性显著，当前EPS的快速修复正在消化高PB压力。
风险提示：成分股仅为客观展示，不代表个股推荐。本文观点不构成任何投资建议，市场有风险，投资需谨慎，指数基金存在跟踪误差，请投资人独立判断和决策。数据来源：Wind。
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