北京
国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“一种半导体结构及连接结构的制备方法”的专利，公开号CN122497351A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构和连接结构的制备方法，其中，半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底上形成待刻蚀材料层。执行第一刻蚀工艺，以在待刻蚀材料层中形成第一待填充结构，第一待填充结构在第一方向上的尺寸大于第一待填充结构在平行于衬底平面方向上的尺寸。将第一待填充结构的上部区域定义为预设子部，其中，第一方向垂直于衬底的平面，执行第二刻蚀工艺，至少在第二方向上对预设子部的侧壁执行刻蚀工艺，以获得第二待填充结构；其中，所述第二方向平行于所述衬底的平面。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息72条，专利信息191条，此外企业还拥有行政许可225个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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