北京
分享至
国家知识产权局信息显示，浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种垂直结构Micro LED器件及其制造方法”的专利，公开号CN122497174A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开一种垂直结构MicroLED器件及其制造方法，首先在发光外延层和CMOS驱动晶圆表面分别沉积铝金属层及钝化层，在空气低温低压下进行原子扩散键合；去除衬底后，经两步刻蚀形成独立发光台面及阳极；对侧壁进行损伤修复并沉积双层钝化层；沉积三层梯度ITO并刻蚀制备光子晶体；最后填充沟槽光学隔离层并压印形成微透镜阵列。本发明有效解决了键合应力与氧化难题，通过多维光学结构协同作用，显著提高了光提取效率和光束方向性，消除了像素串扰，适用于高密度微显示制造。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
