北京
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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122497111A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请公开一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件，包括衬底以及设置于衬底上的深沟槽隔离结构，深沟槽隔离结构围合形成器件区域，器件区域包括有源区以及沿第二方向设置于有源区相对两侧的终端区域，有源区内设置多指栅极晶体管，且多指栅极晶体管的多个栅极沿第一方向排列设置，终端区域内形成应力缓冲结构，应力缓冲结构用于缓冲深沟槽隔离结构与多指栅极晶体管之间的应力，第一方向与第二方向垂直。该半导体器件及其制备方法，能够消除BCD器件的临近效应，提高器件可靠性和稳定性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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