北京
IT时代网8月2日消息，英特尔正在全力推进俄亥俄州大型晶圆厂园区的建设，目标是2031年实现全面运营。为了让工程进度跟上这份长期计划，公司眼下正向员工发放高额加班奖金。
这个园区占地约1000英亩，折合405公顷，未来将用于生产英特尔埃米时代的制程节点，包括18A和14A工艺。按现有计划，14A工艺的大规模量产要等到2031年。
与晶圆厂同步推进的还有先进封装。英特尔的EMIB-T技术近期取得进展，眼下唯一悬而未决的关键瓶颈落在基板良率上。
EMIB全称嵌入式多芯片互连桥接，做法是在有机基板里嵌入微型硅桥，在单个处理器封装内把多个芯粒连起来。它只在芯粒与硅桥相连的边缘区域布置高密度微凸点，以此实现高速互连。EMIB-T则更进一步，引入贯穿硅桥的硅通孔（TSV），这些垂直通道可以直接从封装底部向堆叠的处理器或内存传输电力与高速信号，支持三维芯片堆叠。
成本是这套方案的卖点——EMIB-T比台积电CoWoS方案低约50%。英特尔预计2027年大规模提供EMIB-T封装服务，目前封装良率已接近90%，可基板良率还停在50%左右，成了产能扩展路上最硬的一道坎。
难点在结构。EMIB-T所用基板包含三层：最底下是基础有机基板面板，由Ibiden、Shinko、Unimicron和AT&S等厂商制造，面板内要开出精密凹槽安置硅桥；中间是覆盖在硅桥上方的介电层堆叠，采用业界标准的味之素积层膜（ABF）；最上面则是内含TSV的硅桥本身，负责垂直方向的信号与电力传输。
供应商Unimicron近期表示，EMIB-T仍处于早期发展阶段，当前工作重心是快速提升产能并改善良率。换言之，英特尔在俄亥俄砸下的工期和奖金，最终还得等基板环节跟上节奏。
注：本文中包含AI辅助创作的内容。
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