北京
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国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“一种MEMS器件及其制备方法”的专利，公开号CN122482394A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本申请提供一种MEMS器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底的第一表面上形成第一牺牲材料层；在第一牺牲材料层上形成复合振膜材料层，包括：覆盖第一牺牲材料层的支撑层、位于至少部分支撑层上的第二牺牲材料层、覆盖第二牺牲材料层的振膜电极层，在振膜电极层和支撑层之间还形成有多个支撑柱，支撑柱贯穿第二牺牲材料层，振膜电极层中形成有多个吸音孔；在振膜电极层上形成第三牺牲材料层；在第三牺牲材料层上形成背板层；去除部分第三牺牲材料层以在振膜电极层和背板层之间形成空腔，以及去除部分第二牺牲材料层，以在支撑层和振膜电极层之间形成间隙，支撑层、间隙和振膜电极层共同构成复合振膜结构，空腔通过吸音孔与间隙连通。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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