北京
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国家知识产权局信息显示，西部宝德科技股份有限公司申请一项名为“一种半导体气体限流器的制备方法”的专利，公开号CN122480308A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体气体限流器的制备方法，涉及限流器的技术领域，该方法包括：将25~250 μm粒度范围的金属粉末装入套筒中，在150~1000 MPa模压压力和0~10 s保压时间下将金属粉末压制成坯体；套筒内壁中部开设有卡槽，坯体位于卡槽处；套筒外壁具有锥度段，锥度段自套筒中部延伸至套筒的一端；在600℃~1300℃烧结温度和预设烧结气氛下，对嵌合坯体的套筒进行高温烧结，得到多孔‑套筒组合件；多孔‑套筒组合件内多孔金属的平均孔径为0.5~5μm、孔隙率为15~30 %；采用过盈装配安装方式将多孔‑套筒组合件接入壳体的外部接口。本发明有效解决了现有制备方案成本高、产量低、容易引入杂质，以及无法直接在半导体气体输送系统上装配的问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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