河北
来源：市场资讯
（来源：第三代半导体产业）
目前，大庆溢泰磷化铟衬底扩建项目正全速推进，依托成熟技术与全产业链优势，抢抓全球AI算力产业发展风口，构筑化合物半导体产业新优势，为大庆新材料产业注入强劲“芯”动能。
检测实验人员，进行磷化铟晶片参数检测
“当前，全球人工智能算力产业加速扩容，800G、1.6T、3.2T高速光模块、光电芯片市场需求持续爆发，磷化铟作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体核心基材，是高速光通信激光器、CPO光子芯片、毫米波雷达、卫星通信设备不可或缺的关键材料，行业发展迎来黄金窗口期。”大庆溢泰副总经理赵春峰说，现阶段全球磷化铟衬底供给持续紧张，国产替代市场空间广阔。
作为扎根大庆的国家级高新技术企业、专精特新重点“小巨人”企业，大庆溢泰深耕1至4代半导体、稀散金属材料研发制造多年，手握砷化镓、磷化铟、锗、锑化镓、金属镓等八大核心产品，砷化镓衬底产能稳居行业龙头，现有600台砷化镓长晶炉，年产能360万片，成熟的量产工艺、完备的生产配套，为磷化铟项目落地扩产筑牢技术与产能根基。
倒角工序技术人员有序作业
8万平方米自有厂房与标准化洁净车间，可快速承接产能扩建；自主研发多晶合成炉、单晶生长炉等核心设备，摆脱外部装备依赖；建成“多晶合成—单晶生长—晶片加工”全闭环自主产业链，产品具备低缺陷、高均匀性优势，已通过行业头部客户验证并批量供货——大庆溢泰凭借领先成品率实现生产成本有效管控，专业研发生产团队持续优化工艺，稳固市场先发优势。
“按照分期建设规划，磷化铟项目聚焦3英寸、4英寸主流衬底，同步攻坚6英寸高端产品研发，分两期实施产能扩容。”赵春峰说，项目一期扩建工程稳步推进，计划2026年第四季度竣工投产，新增300台磷化铟长晶炉，年产能25万片。2027年企业启动二期建设，再添600台长晶炉，全部达产后磷化铟长晶炉总量达900台，晶片年产能提升至75万片。项目整体落地后，企业磷化铟衬底全球市场占有率有望达到30%，有力加速国内高端光通信衬底材料国产替代进程。
在主攻磷化铟赛道之外，大庆溢泰同步布局多元前沿半导体材料，完善大庆稀散金属与化合物半导体产业生态。目前锗材料已完成全套技术储备，产品切入空间能源领域；锑化镓第四代半导体材料深耕红外光电赛道，广泛适配热成像、光计算等军民两用场景，与大庆培育高端新材料的产业规划高度契合。
抛光工序人员进行磷化铟晶片抛光作业
“磷化铟项目全面达产后，既能补齐国内高端化合物半导体产能短板，也将壮大我市新材料产业规模，提升国内半导体关键材料产业链供应链自主可控水平。”赵春峰说，将复制砷化镓产业化成功经验，依托大庆优质营商环境稳步扩产，紧抓国产替代发展机遇，持续突破磷化铟、锗、锑化镓核心技术，向着全球综合性化合物半导体材料领军企业目标迈进，以硬核半导体材料产业实力助力大庆高质量发展。
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