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国家知识产权局信息显示，重庆两江联创电子有限公司申请一项名为“一种TP面内不良的仿真检测治具及检测方法”的专利，公开号CN122487769A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种TP面内不良的仿真检测治具及检测方法，所述TP面内不良的仿真检测治具包括底座，其承载面上设置有第一导电缓冲层；盖板，其压合面上设置有第二导电缓冲层；压力施加机构，用于驱动所述盖板闭合并向置于所述底座上的TP施加可控的压合力，所述压力施加机构为可调式机构，能够将所述压合力设定并维持在特定值；测试信号接口，用于与所述TP的电极端子建立电性连接；其中，当所述盖板闭合时，所述TP被压合于所述第一导电缓冲层与所述第二导电缓冲层之间，所述第一导电缓冲层和所述第二导电缓冲层共同构成用于均匀传递所述压合力至所述TP的整个有效区域的仿真压合界面，从根本上解决了漏检问题。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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