北京
国家知识产权局信息显示，武汉鑫威源电子科技有限公司申请一项名为“一种GaN基激光芯片腔面解理方法”的专利，公开号CN122495144A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及一种GaN基激光芯片腔面解理方法，包括：步骤一，采用钻石刀划线设备在GaN晶圆上划出第一线槽，第一线槽自第一划线起始位置沿预设的划线方向划设而成，第一划线起始位置与预设的划痕起点重合，并且第一线槽的长度小于预设的划痕长度；步骤二，采用激光划线设备在GaN晶圆上划出第二线槽，第二线槽自第二划线起始位置沿预设的划线方向划设至预设的划痕终点，第二划线起始位置与第一线槽重合并且位于第一划线起始位置的下游；步骤三，裂片，使GaN晶圆解理，形成腔面。本发明中，先采用钻石刀划线的方式，再利用高能激光对基底加深深度，钻石刀刀尖压痕锐利，能引导裂线垂直延伸不会偏移，提供精确的裂纹起始引导；而激光划线深度可控，解决了划线深度不足的问题；因此，激光划线和钻石刀划线协同作用，形成了一条方向精确、深度足够的应力引导路径，实现了划线工艺的深度、长度可控，确保裂纹扩展方向的一致性，在GaN晶圆表面获得高质量划痕，从而提高GaN基激光芯片腔面解理质量。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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