北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“形成金属硅化物的方法”的专利，公开号CN122497295A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，公开了形成过渡金属硅化物的方法。示例性方法包括相对于第二表面在第一表面上选择性地形成过渡金属硅化物。形成过渡金属硅化物的步骤可以包括提供催化剂。另外或可替代地，示例性方法可以包括在形成过渡金属硅化物之前的清洁和/或表面处理步骤。本文描述的方法可以特别用于形成适用于NMOS器件的结构。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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