260亿天量成交+8.45%振幅深V巨震！中韩半导体ETF剧烈博弈，存储双雄到底有没有探明底部？

7月29日，跨境资金博弈白热化，华泰柏瑞中韩半导体ETF(513310)上演史诗级深V行情，全天成交额达到近260亿，创出该产品上市以来的天量，成交规模较前一交易日大幅增长121.1%。这只跨境ETF同时配置中韩半导体核心资产，前两大重仓正是韩国存储双雄SK海力士、三星电子，直接映射本轮全球存储芯片行情。在韩股连续暴跌、杠杆资金踩踏、市场激烈争论AI存储周期拐点的背景下，260亿资金多空对决，叠加里昂证券最新研报力挺SK海力士，市场核心疑问浮出水面：持续暴跌的存储赛道，是否迎来阶段性底部？

一、盘面复盘：深V过山车+天量成交，恐慌抛压与抄底资金正面碰撞

7月29日场内行情剧烈分化，中韩半导体ETF早盘延续外围恐慌情绪大幅下探，市场弥漫止损出逃情绪；午后资金大举进场承接，上演深V反转走势，全天振幅显著放大，最终放出259.8亿元历史巨量。

行情背后，是韩国半导体市场此前连续极端调整的延续。此前一个交易日，韩国综合指数盘中触发熔断，KOSPI单日大跌超10%。权重股损失惨重：SK海力士单日暴跌14.65%，自阶段高点最大回撤接近50%；三星电子同步大跌，高位回撤幅度超41%。前期火爆的韩国单一股票杠杆ETF遭遇连环平仓，形成下跌负反馈，加剧市场恐慌。

中韩半导体ETF特殊的持仓结构，放大了行情波动。截至二季报，SK海力士权重15.82%、三星电子权重12.48%，韩国两大存储龙头合计权重接近28%；剩余仓位配置A股半导体核心企业。这意味着该ETF同时受海外存储情绪、韩股波动、A股芯片板块三重因素驱动，成为国内投资者交易全球存储周期最便捷的工具，下跌过程中持续吸引投机资金与左侧布局资金博弈。

历史规律显示，持续下跌之后出现创纪录天量深V，代表多空分歧来到极致：恐慌盘集中离场，同时左侧抄底资金批量进场。但天量反转不直接等同于底部确认，还要结合产业基本面、市场核心担忧逐一验证。

二、市场三大核心焦虑，也是本轮存储暴跌的根源

近期SK海力士、三星持续杀跌，市场主要集中三大担忧，也是压制估值的核心枷锁：

1.AI资本开支可持续性存疑：投资者担忧云厂商AI投入放缓，算力需求边际减弱，HBM、服务器DRAM需求增速下滑；

2.存储价格临近见顶：DRAM、NAND持续涨价后，市场博弈涨价周期走到尾声，一旦价格拐头，企业盈利将快速回落；

3.本土存储厂商加速追赶：国内存储产能持续释放，长期挤压海外龙头市场份额，改变全球供需格局。

SK海力士二季度财报印证了行业高景气，但却成为资金抛售导火索。数据显示，公司次季营收79.32万亿韩元，环比增长51%；营运利润60.54万亿韩元，环比增长61%。DRAM、NAND均价分别环比上涨30%、56%。但这份亮眼财报低于市场一致预期。盈利不及预期核心原因在于产品结构偏弱：HBM3E价格环比持平，高溢价HBM4供给英伟达的出货出现递延。财报落地后，悲观情绪集中释放，资金先行兑现远期预期。

三、里昂重磅研报怎么看：主要利空已充分pricein？

7月29日里昂证券发布最新报告，针对市场分歧给出明确判断：SK海力士股价自高点回落近50%，市场当前的多重忧虑，已经充分反映在股价之中，维持“高度确信跑赢大市”评级。报告核心产业逻辑可以归纳为三点：第一，供给端约束长期存在。先进存储制程研发难度极高，新建晶圆厂房投产、产能爬坡周期漫长，即便头部企业扩产，2027年全球存储器依旧维持供给紧张格局，很难出现产能过剩；第二，AI需求具备长期持续性。AI大模型持续向智能代理、搜索、代码生成场景渗透，高阶存储硬件是云端厂商核心竞争力，市场低估中长期HBM、服务器DRAM、大容量企业SSD需求；第三，企业端验证需求韧性。SK海力士与头部客户持续沟通得出结论：AI基础设施投资在2027年之后依旧维持强劲。HBM4已于二季度启动出货，预计下半年加速放量，下一代产品迭代持续打开成长空间。

简单来说，里昂认为当下市场过度定价“AI需求衰退”的悲观预期，忽视存储供给刚性，股价下跌已经透支远期风险。

四、深度辨析：当前能否确认底部？两大视角客观研判乐观信号（支撑底部博弈逻辑）

1.调整幅度充分。SK海力士高位回撤接近50%，大量远期悲观预期被交易，估值显著回调；

2.产业基本面尚未走弱。存储产品价格依旧维持上行通道，HBM高端产品订单饱满，企业盈利处于历史高位；

3.机构观点出现边际转向，里昂率先发声，认为利空充分消化；

4.场内放出历史天量深V，恐慌筹码集中交换，抛压短期释放。

尚未解除的风险（警惕二次探底）

1.杠杆资金的余震尚未出清。此前韩国散户大规模参与半导体杠杆ETF，暴跌引发连环平仓，若情绪反复，仍可能触发新一轮踩踏；

2.HBM4交付节奏存在不确定性。本次二季度财报不及预期，直接诱因就是高端产品出货递延，若下半年放量不及预期，会再度冲击市场信心；

3.全球云厂商资本开支预期仍存变数，美股科技巨头资本开支指引，会持续影响存储板块风险偏好；

4.跨境ETF溢价波动风险。513310属于QDII跨境产品，历史上多次出现大幅溢价、折价波动，交易价格会额外增加波动风险。

综合判断：当前大概率进入阶段性底部博弈区间，但不代表趋势反转确认。短期依靠情绪、天量成交带来反弹窗口；想要确立趋势性底部，需要两个关键验证信号：一是HBM4出货加速落地，下游算力需求持续验证；二是韩国市场杠杆平仓压力彻底出清，悲观情绪实质性修复。

五、后市重点跟踪核心观察信号

1.SK海力士下半年HBM4交付进度，跟踪英伟达及各大云厂商高端存储长单落地情况；

2.DRAM、NAND现货价格走势，观察涨价趋势是否延续；

3.韩国杠杆型半导体ETF赎回、平仓情况，判断市场去杠杆进程；

4.美股费城半导体、美光科技走势，全球存储板块情绪联动性极强；

5.中韩半导体ETF场内溢价水平，警惕高溢价带来的额外交易风险。

风险提示

本文仅整理交易所行情、上市公司公告、券商公开研报资讯，不构成任何投资建议。存储芯片具备强周期属性，产品价格波动、下游需求变化会显著影响企业盈利；跨境ETF存在汇率波动、额度限制、场内折价溢价风险；全球资本市场情绪波动较大，短期股价剧烈震荡风险不容忽视。