功率半导体遇二十年“最猛涨价潮”，谁在定义"硬核"？

2026年的功率半导体赛道，用一个字概括——"涨"。

华润微2月1日率先打响第一枪，全系列微电子产品价格普涨超10%；士兰微3月1日跟进，小信号二极管及MOS类芯片提价10%；英飞凌4月1日启动首轮调价，涨幅5%—15%。7月1日，全球近20家功率半导体企业集中开启第二轮涨价：英飞凌二次提价10%—20%，华润微、士兰微全线调涨15%以上，扬杰科技上调10%—15%，斯达半导对IGBT和SiC MOSFET模块涨价15%以上，友台半导体更是一口气上调15%—30%。

至此，国内外已有二十余家功率半导体企业官宣涨价，主流产品交付周期普遍拉长至30周以上，部分高压器件甚至出现按客户重要性分配货源的"分货"模式。

这轮涨价的底层逻辑，已不再是简单的成本传导。

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量价齐升

AI算力引爆功率半导体超级周期

功率半导体是负责电能转换和控制的芯片，从手机充电器到新能源汽车电控系统，从光伏逆变器到AI数据中心供电模块，几乎所有用电设备都离不开它。而在过去几年，这个行业在国内刚经历了一轮惨烈的价格战，2022年到2024年间部分产品价格降幅超过50%。

但这一次的超级景气周期，驱动力与以往截然不同。

过去功率半导体的景气周期主要由新能源汽车和光伏储能拉动，而这一次，AI算力成了最大的增量变量。美银最新报告指出，AI服务器功耗为传统服务器的3-5倍，数据中心机柜功耗正从几十千瓦向600kW甚至1MW迈进，每颗GPU、每个机架需要的MOSFET、SiC、GaN数量成倍增加。英伟达已更新发布800V HVDC架构白皮书，未来的数据中心电源将主要依靠高端氮化镓与碳化硅器件进行电力转换。据预测，到2030年AI数据中心相关功率半导体规模将达106亿美元，占整体市场的四分之一。

与此同时，8英寸成熟制程产能持续收缩，台积电和三星退出8英寸产线；国内代工厂也将部分产能向存储芯片倾斜，AI对功率半导体晶圆产能的挤占比例已超过30%。需求端爆发式增长与供给端刚性约束形成共振，使这轮涨价至少持续到2027年。

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国产突围

从"内卷"到"上桌"的格局之变

在这轮超级周期中，最值得关注的变化不在于价格，而在于全球竞争格局的重构。

法国市场研究机构Yole最新发布的全球功率半导体销售额排行榜显示，英飞凌仍以17.7%的市场份额稳居第一，但海外三巨头合计份额已从巅峰期的近40%下滑至33%左右。与此同时，五家中国企业首次集体跻身全球前20，华润微、士兰微、安世半导体、比亚迪半导体、中车等均已上榜。

而第三代半导体正成为国产高端化的关键竞技场。比亚迪半导体推出全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片，实现车规级高端产品自主可控；英诺赛科成为英伟达800V系统供应商名单中唯一的中国本土氮化镓企业；天岳先进碳化硅衬底全球市占率跃居第一；士兰微8英寸SiC产线正式通线，达产后将形成年产72万片产能。800V车型中碳化硅渗透率已达77%，2026年，SiC在新能源汽车整体渗透率将达40%，国产替代正从模组组装向芯片层面纵深推进。

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"2026年度硬核功率器件奖"

谁是年度"硬核之王"？

当功率半导体从"内卷红海"变为"战略稀缺资源"，当AI算力的竞争本质上变成了供电效率与功率密度的竞争，谁能在这场超级周期中真正以技术定义"硬核"，以量产验证实力，以市场价值赢得认可？

作为国内半导体产业极具影响力的评选活动之一，芯师爷“硬核芯评选”连续多年坚持"技术实力+量产落地+市场价值"评审体系，已成为国产芯片公司竞相角逐的年度"芯"名片。

以下将展示"第八届硬核芯——功率器件候选产品"：

杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司是一家专业从事集成电路芯片设计及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，长期专注于功率半导体与化合物半导体器件、先进模拟电路、MEMS传感器等领域的研发与制造，产品广泛应用于汽车、新能源、白色家电、工业控制、笔电与手机、AI服务器、通信、人形机器人、安防、电力电子等众多领域。

公司始终坚持“设计制造一体化”（IDM）发展模式，全面贯通“芯片设计—芯片制造—芯片封装”全产业链，芯片产线实现了“从5吋到12吋”的跨越，并从硅基产线拓展到化合物产线，是国内最具规模和最多产品技术门类的IDM企业之一。

SSM2R1PB12EZ1BTFM

SSM2R1PB12EZ1BTFM采用士兰自研的GEN Ⅳ平面栅SiC芯片，单桥臂四并5mm*6mm，满足长时185℃，短时200℃结温使用；在98mm*70mm的极小体积下可以覆盖250kW功率需求，较miniHPD体积缩小60%，功率密度大幅领先；且该产品内置了温敏二极管采样，简化测温方案，在保证采样精度高的同时，降低系统成本，提高响应速度。

SCDP230R012NB2CPHC

SCDP230R012NB2CPHC是一款超高压碳化硅场效应晶体管，其VDS高达2300V，导通电阻低至12mohm。该产品基于士兰自主研发的第二代SiC MOSFET平台工艺，并搭配专为2300V高爬电距离优化的TO‑247‑4L封装，产品广泛适用于风电、光伏、储能、人工智能及电网等领域的整流、逆变等应用场景。

瑞能半导体科技股份有限公司

瑞能半导体科技股份有限公司是专注于功率半导体的全球领先企业，前身为恩智浦半导体标准产品事业部。瑞能结合先进的双极功率技术与恩智浦在中国制造业和分销渠道的资源优势，主营可控硅/晶闸管、碳化硅器件、快恢二极管、TVS/ESD、IGBT及模块等功率半导体产品，广泛应用于消费电子、工业控制、可再生能源及汽车领域。拥有超100件专利（含6项境外专利），近两年研发投入占比超7%。晶闸管全球市占率第一）碳化硅二极管全球七名（Omdia 2024数据），产品应用于多家全球知名品牌。

瑞能750V沟槽栅SiC MOSFET

WNSCT45075TT

瑞能已正式推出新一代750V沟槽栅SiC MOSFET，采用TOLL、QDPAK、DFN8*8等多种封装形式。本系列产品采用沟槽栅结构设计，产品主要特征具备4V以上门极开启门限电压，支持0V关断，无需负压驱动避免误导通；拥有业界领先的低导通电阻与高沟道迁移率，有效降低导通损耗和开关损耗；实现高功率密度的同时，兼顾强化了产品栅氧可靠性，提升了短路耐受能力，可实现高效、紧凑的电源设计，助力AI服务器电源小型化的需求。

泰科天润半导体科技（北京）有限公司

泰科天润半导体科技（北京）有限公司是中国碳化硅功率器件产业化领军企业，专业致力于碳化硅器件研发与制造，并提供解决方案。总部坐落于北京，是一家IDM企业，拥有两条碳化硅芯片晶圆生产线。公司拥有13年碳化硅器件量产经验，涵盖研发、制造、工艺、品控、应用方案和销售六个方向。

泰科天润碳化硅产品覆盖650V~3300V（0.5A~100A）等多种规格，已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、DC-DC等多个领域，并屡次获得行业优秀产品奖。

单管器件TO-247-6L G3M060450N9T

本产品为全球首款4500V、39A碳化硅MOSFET芯片面积仅0.39cm^2,Vth=2.75V阀值稳定,在Vg=18V下的Ron低至60mΩ；寄生参数优异,Crss仅4.6pF、Coss=100pF、Ciss=7027pF、Eoss=436uJ,可大幅抑制高压开关震荡与损耗。依托自研终端设计发明专利(202610099504.6),兼顾耐压、导通损耗与开关性能,填补国际同电压电流规格空缺,适配中高压储能,固态变压器、轨道交通牵引变流器,实现高压电力装备小型化、高效化与国产化替代。

深圳市杰盛微半导体有限公司

杰盛微半导体是一家专业生产霍尔磁性传感器SoC芯片、模拟驱动IC、电源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等的公司。JSMSEMI杰盛微拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，研制开发了各类磁开关系列芯片，磁速度、方向传感器芯片，线性传感器芯片，以及磁编码器芯片、包括25V~700V栅极驱动IC芯片、3300V/5000V隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。为汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等市场领域的终端客户高可靠性功率模拟IC芯片。

JSM2113S

JSM2113S的逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力，其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达750V。

※ 以上为部分相关企业梳理，排名不分先后，欢迎留言补充（微信：global360iot01）

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