机构：AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB快速扩容

7月27日，国金证券在非金属建材行业研究研报中指出，高端扩容，MSAP-PCB的增量贡献。

1、mSAP 工艺适用于线宽线距要求高的应用场景SLP 类载板，是指具有接近于IC 载板特征尺寸的PCB，主要特征是线宽和线距(L/S)尺寸界于常规PCB 和IC 载板之间，传统PCB 以及HDI 板的线宽和线距尺寸大于30/30 um，而IC 载板的线宽和线距通常小至15/15 um。SLP 制造工艺采用mSAP，mSAP 从薄的层压铜箔(1.5-5.0um)开始，以薄铜为种子层、进行图形电镀与闪蚀。

相较传统的减成法，mSAP 具备以下优势：①图形电镀，只镀所需区域，铜厚低，②正片曝光，精度更高，③快速蚀刻，咬蚀超薄铜箔，④线宽/线距可达15um 以下，⑤垂直显影，均匀无划痕。

2、光模块+NV-CoWoP 催化mSAP-PCB 快速扩容

mSAP 最初应用场景主要为智能手机，2017年iPhone 要求PCB 密度类似于封装载板，产生SLP 需求、带动mSAP 工艺发展。

2018年初，三星Galaxy 手机也采用SLP 设计。除消费电子外，AI 预计将带动mSAP-PCB 市场需求快速扩容:①光模块向800G-1.6T-3.2T 迭代，需要使用类载板(SLP)承接、使用mSAP 工艺制备；②英伟达等相关头部企业提出的CoWoP 技术路线，该路线场景下传统封装基板被取消，芯片通过硅中介层直接与高精度PCB 主板连接，倒逼主板线路细化、类载板化。

3、mSAP-PCB 对于上游材料和设备的拉动：

（1）直写光刻：mSAP 要求曝光的线宽线距降至15um，光模块、CoWoP 技术所用的SLP 需求上升，下游厂商扩产意愿增加，拉动mSAP 直写光刻设备需求增长。国内mSAP 直写光刻设备厂家主要是芯碁微装，设备性能已经比肩海外设备厂商，加上设备交付周期显著短于海外厂商，有望充分受益本轮国产替代。

（2）电镀线：mSAP 要求铜厚均匀性控制在±5%以内（传统工艺±10%），对电镀精度提出更高要求，要求VCP（垂直连续电镀）以及水平三合一电镀（除胶+沉铜+闪镀铜，mSAP 前道种子层）设备。国内电镀设备厂家包括东威科技等，东威VCP 国内超50%市占率，预计海外拓展将分阶段推进。

（3）载体铜箔：日本三井金属占据载体铜箔超90%市场份额，三井当前产能约500万平/月、预计到2028年提升至580万平/月，扩产幅度不大。载体铜箔下游需求快速增长（除光模块、NV-CoWoP 外，高端存储芯片目前紧缺，海内外头部企业扩产进一步放大载体铜箔供需缺口），而上游供给相对偏紧，有望推动下游客户加快对国产产品的验证导入。国内载体铜箔的参与者包括铜冠铜箔、方邦股份、德福科技等。

（4）药水：mSAP 技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等，其中闪蚀目的是快速蚀刻掉基铜及电镀铜，由于线路铜由基铜以及电镀铜组成，药水对两种铜的蚀刻存在差异，侧蚀成为闪蚀的控制难点。国内mSAP 药水参与者主要包括光华科技、天承科技等。

（5）low-CTE 电子布：mSAP-PCB 中的mSAP 层预计使用T 布。T 布预计2026年继续呈现涨价趋势，由于日东纺的新T 布产能预计于26H2才能释放，短期供应紧张或难以缓解。国内T 布有布局的玩家包括宏和科技、中材科技、国际复材。

（6）low-dk 二代布、HVLP4铜箔：1.6T 光模块mSAP-PCB 中的HDI 预计使用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。①HVLP4铜箔，全球龙头三井金属扩产、印证产业趋势。我们预计ASIC 平台（亚马逊、谷歌等）及NV 在2026年高阶方均会大量采用HVLP4铜箔方案，因此我们看好2026年全系列PCB 铜箔的涨价趋势。国内HVLP4有产能厂家主要包括铜冠铜箔。②low-dk 二代布，2026年存在明确供需缺口，随着谷歌V8及以上TPU/NV-Rubin 架构全面放量，我们预计将大量拉动Low-Dk 二代布需求。国内二代布主要参与者包括国际复材、中材科技、宏和科技、中国巨石、光远新材。

mSAP 工艺适用于线宽线距要求高的应用场景（线宽/线距可达15um 以下），技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP最初应用场景主要为消费电子，AI 光模块+NV-CoWoP 预计将带动mSAP-PCB 快速扩容。mSAP-PCB 对于上游材料的拉动方面，我们建议关注①直写光刻，②电镀线，③载体铜箔，④药水，⑤low-CTE 电子布，⑥low-dk 二代布、HVLP4铜箔等方向。

风险提示：算力需求不及预期；行业竞争格局恶化的风险；原材料价格波动的风险。