吉林
随着新能源汽车、光伏储能、高端工控、射频通信产业升级，传统硅基半导体性能逐步触及天花板，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为核心的第三代半导体，成为产业升级的核心方向。而碳化硅衬底是产业链最上游、技术壁垒最高的核心环节，天岳先进正是国内碳化硅衬底领域的绝对龙头。
公司专注于碳化硅半导体衬底材料研发、生产与销售，核心产品包括4英寸、6英寸、8英寸碳化硅衬底，覆盖导电型、半绝缘型两大品类。导电型衬底主要应用于新能源汽车、光伏储能、工业控制等功率半导体场景；半绝缘型衬底适配5G/6G射频、高端军工通信场景，应用前景广阔。
碳化硅衬底的核心难点在于晶体生长工艺、良率控制、尺寸升级，技术壁垒远超传统硅片。天岳先进深耕行业多年，掌握自主可控的碳化硅晶体生长核心技术，突破大尺寸、高纯度、低缺陷的行业技术瓶颈，是国内少数实现6英寸碳化硅衬底规模化量产、8英寸产品研发突破的企业。
产业需求端，新能源汽车电动化、智能化持续升级，车载高压平台普及，倒逼碳化硅功率器件渗透率快速提升；储能、光伏、充电桩、工控设备的高压化、高效化升级，持续拉动碳化硅衬底需求。公司产品持续导入国内外头部功率器件企业，客户资源优质。
公司持续扩产迭代，落地大规模碳化硅衬底产能项目，匹配行业爆发式增长需求。同时持续加大研发投入，攻坚8英寸大尺寸衬底量产技术，卡位下一代产业升级红利，持续缩小与海外龙头的技术差距。
赛道挑战同样客观存在。第三代半导体行业仍处于产业化初期，大尺寸产品良率仍有提升空间；行业扩产热潮下，未来中低端产品或面临产能过剩风险；高端产品仍被海外巨头占据，国产替代仍需持续攻坚。
中长期来看，第三代半导体是功率器件升级的终极方向，下游新能源、高端制造、通信产业需求持续爆发，碳化硅赛道具备十年高景气周期。天岳先进作为上游核心衬底龙头，手握最高壁垒环节，将持续享受产业红利。
未来核心看点：大尺寸衬底量产进度、产品良率优化、头部客户订单落地规模。在半导体产业升级的浪潮中，上游核心材料的突破，终将开启全新产业格局。
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