北京
国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种固态蒸发源、控制方法及存储介质”的专利，公开号CN122446148A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供了一种固态蒸发源、一种固态蒸发源的控制方法，以及一种计算机可读存储介质。所述固态蒸发源包括：腔体；源瓶，设置于所述腔体内，用于盛放前驱体；输送管路，第一端连接所述源瓶，第二端伸出所述腔体；至少一个加热装置，至少用于加热所述输送管路；以及控制器，被配置为：确定所述输送管路中的实际气压，其中，所述输送管路中的实际气压随沉积工艺的工艺参数变化；根据预先标定的输送管路气压‑加热装置温度映射关系曲线及所述实际气压，确定加热装置的目标温度；根据所述加热装置的目标温度，调节所述加热装置的输出功率，以将所述实际气压调整至预设的目标气压。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息546条，此外企业还拥有行政许可18个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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