北京
国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“提升超低阻红磷单晶合格率的拉晶方法”的专利，公开号CN122446330A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种提升超低阻红磷单晶合格率的拉晶方法，属于超低阻拉晶方法技术领域，在掺杂时打开CUSP磁场至拉晶结束，同时在掺杂时，根据掺杂石英钟罩的位置控制勾型磁场的位置，然后在等径过程中，保持勾型磁场位于硅溶液下方预定位置，同时控制勾型磁场的磁场强度，调节氩气流量、炉压、坩埚转速、晶棒转速及拉晶速度，以将熔体中的质量、热量传输机制从“不可控的强对流”转变为“可控的弱对流/扩散主导”模式，减弱熔体中心区域向上的流动和表面的水平流动，可以显著降低磷从自由液面的蒸发速率，以拉制Res≤0.0001Ω·cm的重掺红磷晶棒，同时拉制晶棒的轴向电阻率分布均匀，Res≤0.0001Ω·cm的合格率≥55%。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息401条，此外企业还拥有行政许可25个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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