北京
来源：中国能源网
国信证券近日发布红磷-磷化铟产业链专题：磷化铟（InP）作为具备直接带隙与高电子迁移率特性的III-V族化合物半导体，完美契合光纤通信的低损耗窗口，是制备高速光芯片不可替代的核心基底材料。据Lumentum预测，AI驱动的InP光通道出货量年复合增长率（CAGR）高达85%。叠加电信网络扩容与车载激光雷达等新兴应用，全球磷化铟产业链正步入高景气周期。
以下为研究报告摘要：
核心观点
AI算力驱动需求爆发，磷化铟迎高景气周期。磷化铟（InP）作为具备直接带隙与高电子迁移率特性的III-V族化合物半导体，完美契合光纤通信的低损耗窗口，是制备高速光芯片不可替代的核心基底材料。当前，在AI算力集群扩容与数据中心光互联升级的强劲驱动下，800G光模块全面普及及1.6T光模块加速部署正引发对InP衬底材料的需求爆发。据Lumentum预测，AI驱动的InP光通道出货量年复合增长率（CAGR）高达85%。叠加电信网络扩容与车载激光雷达等新兴应用，全球磷化铟产业链正步入高景气周期。
产业链上游，核心原材料面临极高的技术壁垒与供给约束。高纯铟作为稀缺战略金属，中国以近70%的产量占据全球绝对主导地位，受AI需求拉动，国内精铟价格自2024年初至2026年7月累计涨幅约180%。作为另一核心磷源的电子级高纯红磷（6N-7N级），长期被日本NCI等少数企业垄断。2026年日企收紧对华配额导致阶段性断供风险。国内高纯红磷产业正加速破局，拓材科技已实现30吨7N级产品规模化量产，威顿晶磷、广东先导、兴发集团等企业也在6N/7N级产线及技术攻关上取得突破，国产替代进程全面提速。
中游衬底环节呈现寡头垄断格局，住友电工、AXT、JX金属等海外巨头掌控核心产能。为应对AI需求激增，全球磷化铟厂商掀起密集扩产潮：住友电工追加180亿日元投资，计划2028财年前将产能提升至2024财年的3.1倍；AXT通过发行普通股进行股权融资（筹资约6.3亿美元）及长协预付款扩大北京工厂产能；JX金属拟投资最高1200亿日元，目标将产能提升7至10倍。国内厂商云南锗业亦投资1.89亿元，将磷化铟衬底总产能由年产15万片扩充至年产45万片（折合4英寸）。
供需矛盾短期难解，上游稀缺资源与衬底龙头长期受益。尽管全球巨头纷纷加码，但受限于极高的长晶工艺壁垒与漫长的客户认证周期，磷化铟衬底供需矛盾短期内难以缓解。据QYResearch预测，全球磷化铟晶圆市场规模将从2025年的2.04亿美元增至2032年的4.88亿美元（CAGR为13.5%）。在硅光与薄膜铌酸锂等替代技术中短期内无法撼动InP本征优势的背景下，磷化铟产业链正迎来需求爆发与供给重塑，上游稀缺资源及具备大尺寸衬底量产能力的企业将长期受益于行业的高景气度。
风险提示：下游需求波动，原材料供应与价格，市场竞争加剧，地缘政治与贸易摩擦，技术壁垒与良率，研发投入与人才流失风险等。
投资建议：我们推荐磷化工领域具备资源壁垒与产业链优势的核心标的兴发集团，公司为精细磷化工领军者，磷硅氟全链协同，草甘膦及有机硅筑牢基本盘，微电子与新能源材料贡献增量。公司依托已掌握的电子级黄磷和电子级磷烷的技术优势和产业链优势，目前正在抓紧推进电子级红磷生产制备技术攻关，若取得成功，将实现磷化铟用关键原材料电子级红磷的国产化替代。（国信证券 杨林,余双雨,薛聪）
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