扬杰电子取得三极管相关专利，该三极管可提频率、增益与电流密度

来源：新浪证券-红岸工作室

7月22日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高工作频率和增益系数的三极管”的专利，授权公告号CN224538634U，授权公告日为2026年7月21日。申请号为CN202521832202.2，申请公布日期为2026年7月21日，申请日期为2025年8月27日，发明人代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师郭翔，分类号H10D10/40、H10D62/10、H10D64/23。

专利摘要显示，一种提高工作频率和增益系数的三极管。涉半导体技术领域。包括自下而上依次设置的集电极电极、外延片和第一隔离层；所述外延片上设有：第一重掺杂基区，设有若干，顶面与所述第一隔离层连接后，延伸至所述外延片内；相邻所述第一重掺杂基区顶部互联，底部相互间隔；第二重掺杂发射区，设有若干，分别从所述第一重掺杂基区的顶面向下延伸，位于相邻所述第一重掺杂基区顶部互联内部；基极电极，设有若干，分别从所述第一隔离层顶面向下延伸至第一重掺杂基区；发射极电极，设有若干，分别从所述第一隔离层顶面向下延伸，并与所述第二重掺杂发射区顶面连接。本实用新型提高三极管的工作频率和增益系数，同时提高器件电流密度。

扬杰科技是国内功率半导体分立器件领域领先企业，核心产品覆盖多类功率半导体器件，具备全产业链布局优势。公司成立于2006年8月2日，2014年1月23日于深圳证券交易所上市，注册地与办公地均位于江苏省扬州市。

扬杰科技主营业务集研发、生产、销售于一体，聚焦功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域，申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件，同时布局汽车芯片、半导体等核心概念板块。

2025年，扬杰科技实现营业收入71.3亿元，在18家同行业可比企业中排名第3，仅次于*ST闻泰的312.53亿元与士兰微的130.52亿元，大幅高于行业39.84亿元的平均营收与13亿元的行业营收中位数。从主营业务构成来看，半导体器件业务贡献营收62.57亿元，占比87.75%；半导体芯片业务营收5.34亿元，占比7.49%；半导体硅片业务营收1.67亿元，占比2.35%；其余补充类业务营收1.72亿元，占比2.41%。盈利端，公司2025年实现净利润12.45亿元，位列18家同行业企业首位，远超第二名捷捷微电的4.76亿元，显著跑赢行业-3.38亿元的平均净利润水平与5933.85万元的行业净利润中位数，盈利表现领跑赛道。

业务板块营收规模（亿元）营收占比半导体器件87.75%半导体芯片5.347.49%半导体硅片1.672.35%其他(补充)1.722.41%

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法发明专利公布CN202610748277.52026-05-28CN122421408A2026-07-17王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅2一种低寄生电感功率二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610593818.12026-04-30CN122340830A2026-07-03熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅3一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法发明专利公布CN202610585288.62026-04-29CN122396337A2026-07-14柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅4一种高功率密度三极管及制备方法发明专利公布CN202610535598.72026-04-22CN122395972A2026-07-14代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅5一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610412210.42026-03-31CN122138725A2026-06-02熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅6一种高功率密度TVS二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610415630.82026-03-31CN122269779A2026-06-23熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅7一种Power DFN框架、封装体及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅8一种三相半控整流桥复合封装及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅9一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅10一种光伏旁路二极管模块加工工艺发明专利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、王毅11一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅12一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅13一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅14一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅15一种高功率密度三极管及制备方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅16一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅17一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅18一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅19一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅20一种提高工作频率和增益系数的三极管实用新型授权CN202521832202.22025-08-27CN224538634U2026-07-21代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅21一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅22光伏旁路器件实用新型授权CN202521754537.72025-08-18CN224459747U2026-07-03李广源、梁欣源、陈润生、王毅23一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅24二极管擦字装置实用新型授权CN202521740722.02025-08-15CN224296845U2026-05-29徐超、司天平、陈润生、王毅25二极管上料装置实用新型授权CN202521740725.42025-08-15CN224449345U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅26二极管收料装置实用新型授权CN202521740719.92025-08-15CN224449543U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅27一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅28一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅29一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅30一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅31一种抑制塑封分层的全包封框架及封装实用新型授权CN202521215415.02025-06-13CN224460572U2026-07-03代书雨、王玉林、张敏、王毅32提升绝缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、王毅33多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、王双、吕强、王毅34一种高效组装散热型整流桥实用新型授权CN202521104109.X2025-05-30CN224482060U2026-07-10王双、王毅35一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅36单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅37一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅38一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅39一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅40一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅41一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅42一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅43自动防卡料管装上料装置实用新型授权CN202423295438.52024-12-31CN223547013U2025-11-14李伟贞、殷宪虎、王毅44整流桥周转管打塞装置实用新型授权CN202423295423.92024-12-31CN223574783U2025-11-21张杰、徐俊、殷宪虎、王毅45整流桥平整度检测装置实用新型授权CN202423266959.82024-12-30CN223551060U2025-11-14雍鑫、徐俊、王毅46框架镜像检测平台实用新型授权CN202423266953.02024-12-30CN223711466U2025-12-23沈青青、徐俊、王毅47一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411950010.12024-12-27CN119743969A2025-04-01王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅48一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411955197.42024-12-27CN119789443A2025-04-08王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅49具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管实用新型授权CN202423253084.82024-12-27CN223652616U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅50具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件实用新型授权CN202423247744.12024-12-27CN223652617U2025-12-09王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅