北京
国家知识产权局信息显示，南通通富微电子有限公司申请一项名为“一种硅通孔以及形成硅通孔的方法”的专利，公开号CN122438563A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种硅通孔以及形成硅通孔的方法，在硅片的第二表面以及露出的初始硅通孔的表面形成钝化层，在钝化层上形成牺牲层后，后采用等离子体刻蚀工艺对牺牲层进行刻蚀，以露出对应初始硅通孔处的钝化层，采用等离子体刻蚀工艺对初始硅通孔处的钝化层进行刻蚀，以露出初始硅通孔的导电材料，去除牺牲层形成最终的硅通孔。取消了通过化学机械抛光工艺去除钝化层并露出硅通孔的导电材料的步骤，降低对硅片第二表面的蚀刻量，使得初始硅通孔仅露出预设高度即可；降低化学机械抛光设备的使用成本；避免硅通孔表面的研磨凹陷，提高良率；使得同一晶圆上的TSV的高度一致，精准控制TSV的高度；降低钝化层的厚度，缩短沉积时间，降低成本。
天眼查资料显示，南通通富微电子有限公司，成立于2014年，位于南通市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本193100万人民币。通过天眼查大数据分析，南通通富微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目67次，专利信息110条，此外企业还拥有行政许可24个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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